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NGTB40N120FL2WG
IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 535 W Through Hole TO-247
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: NGTB40N120FL2WG
Fiche de données: NGTB40N120FL2WG Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $5,550 | $5,550 |
| 10 | $4,912 | $49,120 |
| 30 | $4,456 | $133,680 |
| 100 | $4,130 | $413,000 |
En stock: 9 458 PC
NGTB40N120FL2WG Description générale
The NGTB40N120FL2WG IGBT is a reliable and efficient electronic component designed for high power applications. With a voltage rating of 1.2kV and a current rating of 80A, this IGBT is suitable for a wide range of industrial and automotive applications. The TO-247 package ensures easy installation and thermal management, while the RoHS compliance guarantees environmental friendliness
Caractéristiques
- Fast and Reliable Rectification
- Low Loss and High Current Handling
- Robust and Durable Package Design
- Safe Operating Area and Long Lifespan
- High Efficiency and Low Noise Emission
- Compliance with Industry Standard
Application
- Smart Grid Solutions
- Renewable Energy
- Electric Vehicles
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-247 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | Pd - Power Dissipation: | 535 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Series: | NGTB40N120FL2 | Packaging: | Tube |
| Brand: | onsemi | Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | IGBTs |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The NGTB40N120FL2WG chip is a semiconductor device used in power electronic applications. It is a 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module that combines low conduction loss and high switching speed. The chip is designed for applications such as motor drives, power supplies, and renewable energy systems, offering efficient power switching and improved performance.
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Features
The NGTB40N120FL2WG is a 1200V IGBT power module with a low-loss and high-speed switching performance. It features a low saturation voltage, fast turn-off and reverse recombination voltage recovery, and a compact and lightweight package design with integrated gate driver. -
Pinout
The NGTB40N120FL2WG is a power semiconductor device. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is designed for high-voltage applications and can handle up to 40A of current and 1200V of voltage. -
Manufacturer
The manufacturer of the NGTB40N120FL2WG is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductors and solutions supplier. It specializes in designing and manufacturing power management, analog, logic, discrete, and custom devices for various industries, including automotive, industrial, communication, and computing sectors. -
Application Field
The NGTB40N120FL2WG is a high-power MOSFET designed for various applications such as switching power supplies, motor control, and uninterruptible power supplies (UPS). It is specifically suitable for applications requiring high efficiency and reliability, such as industrial and automotive systems, renewable energy systems, and electric vehicle charging. -
Package
The NGTB40N120FL2WG chip has a TO-247-3 package type, form is Tubular and its size is 10.42mm x 28.7mm x 5.6mm.
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