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$5000NGTB50N60FLWG
NGTB50N60FLWG product description: N-channel IGBT chip capable of handling up to 600V and 100A
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: NGTB50N60FLWG
Fiche de données: NGTB50N60FLWG Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247
type de produit: Single IGBTs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NGTB50N60FLWG Description générale
Infineon Technologies AG's NGTB50N60FLWG power MOSFET is a versatile component designed for high-power switching applications. With a voltage rating of 600 volts and a maximum continuous drain current of 50 amperes, it is well-equipped to handle the power requirements of industrial and automotive systems. Its TO-247 package type ensures efficient heat dissipation, while its low on-state voltage drop, fast switching speed, and high ruggedness make it suitable for motor control, power supplies, inverters, and induction heating applications. This MOSFET's advanced features and reliable performance make it an ideal choice for applications that demand efficient power management and high reliability
Caractéristiques
- Soft Commutation Mode
- High Voltage Tolerant
- Excellent Thermal Characteristics
Application
- Backup Power Systems
- Sustainable Energy Solutions
- Renewable Energy Products
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-247 |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.65 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 100 A |
| Pd - Power Dissipation | 223 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | NGTB50N60FLWG |
| Brand | onsemi | Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA |
| Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 30 |
| Subcategory | IGBTs |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The NGTB50N60FLWG chip is a power semiconductor device that is used in various electronic applications. It has a high voltage rating of 600V and a maximum current of 50A. The chip is designed for efficient power conversion and offers low on-resistance, high switching speeds, and high thermal conductivity. It is commonly used in power supplies, motor drives, and inverters for renewable energy systems.
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Features
The NGTB50N60FLWG is a power MOSFET with a voltage rating of 600V, designed for high-performance applications. It offers low on-resistance, high switching speeds, and improved efficiency. This MOSFET also comes with a TO-247 package for better thermal dissipation and is suitable for use in power supplies, motor drives, and other high-voltage applications. -
Pinout
The NGTB50N60FLWG is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. Its pin count is 3, consisting of the gate (G), drain (D), and source (S) terminals. This transistor is designed for power electronics applications and provides a high voltage rating of 600V and a maximum current rating of 50A. -
Manufacturer
The manufacturer of the NGTB50N60FLWG is Infineon Technologies. It is a multinational semiconductor company that produces power semiconductor devices, microcontrollers, and sensors. -
Application Field
The NGTB50N60FLWG is a high-voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for applications in power electronics. It can be used in various systems such as motor drives, renewable energy converters, uninterruptible power supplies, and power factor correction. Its high voltage and current capabilities make it suitable for high-power and high-efficiency applications. -
Package
The NGTB50N60FLWG chip comes in a module package type known as Module, NPT Trench IGBT. It has a form factor known as TO-3P and a small size with dimensions of approximately 15.72mm x 22.1mm x 5.51mm.
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