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ON NTD5C688NLT4G
Transistor MOSFET N-Channel for Automotive Applications
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: NTD5C688NLT4G
Fiche de données: NTD5C688NLT4G Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: DPAK-3
Statut RoHS:
État des stocks: 2 179 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,970 | $1,970 |
| 200 | $0,763 | $152,600 |
| 500 | $0,737 | $368,500 |
| 1000 | $0,723 | $723,000 |
En stock: 2 179 PC
NTD5C688NLT4G Description générale
This dynamic MOSFET is optimized for efficient heat dissipation and boasts a low on-resistance of 12mΩ, thereby minimizing power loss and enhancing overall efficiency. Furthermore, the NTD5C688NLT4G features a fast switching speed and low gate charge, rendering it perfect for applications that demand high-speed switching. Its design also ensures reliable operation under high-temperature conditions, with a maximum operating temperature of 175°C, making it suitable for demanding environments
Caractéristiques
- This is a high-power MOSFET designed for automotive and industrial applications.
- The NTD5C688NLT4G has low on-resistance and a compact footprint, making it suitable for high-power density applications
- This product is RoHS compliant and designed for use in a variety of power management applications
- NTD5C688NLT4G is a Dual N-Channel Power MOSFET with a voltage rating of 30V
- The NTD5C688NLT4G features low on-resistance and high speed switching capabilities, making it ideal for high frequency applications
- This product has low inductance and fast switching times, making it suitable for high-speed power management applications
Application
- Efficient power management
- Industrial automation solution
- High-performance voltage regulation
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | DPAK-3 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27.4 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 18 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Qualification: | AEC-Q101 |
| Packaging: | Reel | Brand: | ON Semiconductor |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S | Fall Time: | 24 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 42 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2500 | Subcategory: | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Tags | NTD5C6, NTD5C, NTD5, NTD |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
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Emballage
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