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ON NTH4L020N120SC1

TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 milliohms, 1200 volts, M1

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: NTH4L020N120SC1

Fiche de données: NTH4L020N120SC1 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-247-4

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 3076 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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NTH4L020N120SC1 Description générale

Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

nth4l020n120sc1

Caractéristiques

  • Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A
  • High Speed Switching and Low Capacitance
  • 100% UIL Tested
  • 1200V Rated

Application

  • PFC
  • Boost Inverter
  • Motor Drives

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology SiC
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-4
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV Id - Continuous Drain Current 102 A
Rds On - Drain-Source Resistance 28 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.3 V Qg - Gate Charge 220 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 510 W Channel Mode Enhancement
Series NTH4L020N120SC1 Brand onsemi
Configuration Single Fall Time 10 ns
Forward Transconductance - Min 3.6 S Product Type MOSFET
Rise Time 21 ns Factory Pack Quantity 450
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 41 ns Typical Turn-On Delay Time 21.6 ns
Unit Weight 0.551987 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The NTH4L020N120SC1 chip is a semiconductor device used for power management applications. It is designed to efficiently control and regulate power flow in electronic devices. The chip features low power consumption, high switching frequency, and thermal protection capabilities. It is commonly used in various industries, including consumer electronics, automotive, aerospace, and telecommunications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the NTH4L020N120SC1 chip are the BSC093N12NS3 and IPP042N12N3G chips.
  • Features

    The NTH4L020N120SC1 is a power MOSFET transistor. It has a maximum drain-source voltage rating of 120V, a maximum continuous drain current of 20A, and a low on-resistance of 0.012 ohms. It is designed for high efficiency and performance in various electronic applications.
  • Pinout

    The NTH4L020N120SC1 is a MOSFET power transistor with 1200V and 20A ratings. It has a TO-247AD package, which typically consists of 3 pins: gate, drain, and source. The specific pin configuration and function may vary depending on the manufacturer.
  • Application Field

    The NTH4L020N120SC1 is a silicon carbide MOSFET in a discrete package. It is designed for use in various applications including motor control, power supplies, renewable energy systems, industrial equipment, and electric vehicle charging systems.
  • Package

    The NTH4L020N120SC1 chip is in a surface-mount package with an LQFP32 form. The size of the chip is 7mm x 7mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire NTH4L020N120SC1 PDF Télécharger

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    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

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  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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