ON NTH4L020N120SC1
TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 milliohms, 1200 volts, M1
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: NTH4L020N120SC1
Fiche de données: NTH4L020N120SC1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-4
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3076 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureNTH4L020N120SC1 Description générale
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Caractéristiques
- Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A
- High Speed Switching and Low Capacitance
- 100% UIL Tested
- 1200V Rated
Application
- PFC
- Boost Inverter
- Motor Drives
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | SiC |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-4 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current | 102 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 15 V, + 25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.3 V | Qg - Gate Charge | 220 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 510 W | Channel Mode | Enhancement |
Series | NTH4L020N120SC1 | Brand | onsemi |
Configuration | Single | Fall Time | 10 ns |
Forward Transconductance - Min | 3.6 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 21 ns | Factory Pack Quantity | 450 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns | Typical Turn-On Delay Time | 21.6 ns |
Unit Weight | 0.551987 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The NTH4L020N120SC1 chip is a semiconductor device used for power management applications. It is designed to efficiently control and regulate power flow in electronic devices. The chip features low power consumption, high switching frequency, and thermal protection capabilities. It is commonly used in various industries, including consumer electronics, automotive, aerospace, and telecommunications.
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Equivalent
The equivalent products of the NTH4L020N120SC1 chip are the BSC093N12NS3 and IPP042N12N3G chips. -
Features
The NTH4L020N120SC1 is a power MOSFET transistor. It has a maximum drain-source voltage rating of 120V, a maximum continuous drain current of 20A, and a low on-resistance of 0.012 ohms. It is designed for high efficiency and performance in various electronic applications. -
Pinout
The NTH4L020N120SC1 is a MOSFET power transistor with 1200V and 20A ratings. It has a TO-247AD package, which typically consists of 3 pins: gate, drain, and source. The specific pin configuration and function may vary depending on the manufacturer. -
Application Field
The NTH4L020N120SC1 is a silicon carbide MOSFET in a discrete package. It is designed for use in various applications including motor control, power supplies, renewable energy systems, industrial equipment, and electric vehicle charging systems. -
Package
The NTH4L020N120SC1 chip is in a surface-mount package with an LQFP32 form. The size of the chip is 7mm x 7mm.
Fiche de données PDF
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
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