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ON NTMFS4C022NT1G 48HRS

N-Channel 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 3.1W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: NTMFS4C022NT1G

Fiche de données: NTMFS4C022NT1G Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SO-8FL

Statut RoHS:

État des stocks: 2805 pièces, nouveau original

type de produit: Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $0,779 $0,779
10 $0,647 $6,470
30 $0,582 $17,460
100 $0,517 $51,700
500 $0,446 $223,000
1500 $0,425 $637,500

In Stock:2805 PCS

- +

Citation courte

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NTMFS4C022NT1G Description générale

N-Channel 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 3.1W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Caractéristiques

  • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
NTMFS4C022NT1G

Application

ONSEMI

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Source Content uid NTMFS4C022NT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Package Description SO-8FL, DFN5, 6 PIN Manufacturer Package Code 488AA
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 66 Weeks Date Of Intro 2016-06-01
Samacsys Manufacturer onsemi Avalanche Energy Rating (Eas) 549 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 136 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0024 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 67 pF JESD-30 Code R-PDSO-F5
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 352 A Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Element Material SILICON feature-category Power MOSFET
feature-material feature-process-technology
feature-configuration Single Quad Drain Triple Source feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type N feature-number-of-elements-per-chip 1
feature-maximum-drain-source-voltage-v 30 feature-maximum-gate-source-voltage-v ±20
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 2.2 feature-maximum-continuous-drain-current-a 30
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 1.7@10V feature-typical-gate-charge-vgs-nc 45.2@10V|[email protected]
feature-typical-gate-charge-10v-nc 45.2 feature-typical-input-capacitance-vds-pf 3071@15V
feature-typical-output-capacitance-pf feature-maximum-power-dissipation-mw 3100
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 5 feature-supplier-package SO-FL EP
feature-standard-package-name1 DFN feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold Yes

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The NTMFS4C022NT1G chip is a small-sized high-performance N-Channel Power MOSFET. It is designed to handle high power requirements efficiently and reliably. With low on-resistance and high current carrying capacity, it is suitable for various applications such as power supply circuits, motor control, and LED lighting. The chip is known for its compact size and high performance characteristics.
  • Equivalent

    Some of the equivalent products to the NTMFS4C022NT1G chip are the DMG2302UV-7, RJK0305DPB, and PSMN0R4-30YLD. These chips are also MOSFETs and provide similar features and specifications to the NTMFS4C022NT1G, making them suitable alternatives.
  • Features

    NTMFS4C022NT1G is a small-sized dual N-channel power MOSFET with low on-resistance and high current-handling capability. It is designed for use as a power switch in applications with low voltage and high energy efficiency requirements. The package is compatible with automatic placement equipment.
  • Pinout

    The NTMFS4C022NT1G is a MOSFET transistor with an SMD package. It has a pin count of 8, including the gate, drain, and source pins. The function of this MOSFET is to control the flow of current in electronic circuits, primarily in power management applications such as voltage regulators.
  • Manufacturer

    ON Semiconductor is the manufacturer of the NTMFS4C022NT1G. It is a semiconductor company that specializes in power and energy efficient solutions.
  • Application Field

    The NTMFS4C022NT1G is a power MOSFET commonly used in various applications such as switching regulators, motor control, and power management in electronic devices. It offers low ON resistance, high power density, and excellent thermal performance, making it suitable for a wide range of applications that require efficient power switching capabilities.
  • Package

    The NTMFS4C022NT1G chip has a package type of PowerPAK SO-8, a form of surface mount, and a size of 5mm x 6mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire NTMFS4C022NT1G PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

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