ON NTMFS4C302NT1G
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: NTMFS4C302NT1G
Fiche de données: NTMFS4C302NT1G Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SO-FL EP
Statut RoHS:
État des stocks: 2871 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $0,972 | $0,972 |
10 | $0,773 | $7,730 |
30 | $0,663 | $19,890 |
100 | $0,540 | $54,000 |
500 | $0,420 | $210,000 |
1500 | $0,394 | $591,000 |
In Stock:2871 PCS
NTMFS4C302NT1G Description générale
The NTMFS4C302N is a Single N-Channel Power MOSFET with a small footprint that is perfect for compact designs.
Caractéristiques
- Small Footprint (5 x 6 mm)
- Low RDS(on)
- Low QG and Capacitance
- RoHS Compliant
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Y | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SO-8FL-8 |
Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 230 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 82 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 96 W | Configuration: | Single |
Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Reel |
Brand: | ON Semiconductor | Forward Transconductance - Min: | 135 S |
Fall Time: | 11 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 19 ns | Factory Pack Quantity: | 1500 |
Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Tags | NTMFS4C3, NTMFS4C, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM |
Source Content uid | NTMFS4C302NT1G | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
Manufacturer Package Code | 488AA | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 66 Weeks |
Samacsys Manufacturer | onsemi | Avalanche Energy Rating (Eas) | 186 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 41 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0017 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 5 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 96 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 388 A | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET chip designed for fast switching applications in power management circuits. It offers a low ON-resistance and low gate charge, resulting in improved efficiency and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as smartphones, tablets, and laptops, to enhance power conversion and control capabilities.
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Features
The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET that offers a low on-resistance and fast switching capability. It is capable of handling high current levels while maintaining low power dissipation. The device is designed for various applications, including power management and conversion circuits, such as voltage regulator modules, DC-DC converters, and synchronous rectification. -
Pinout
The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET with a pin count of 8. It is used for power management applications and has a maximum drain current of 72A. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTMFS4C302NT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that develops and manufactures a wide range of integrated circuits and discrete devices for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The NTMFS4C302NT1G is a high-performance power MOSFET that can be used in various applications, including power supplies, motor control, DC-DC converters, and load switches. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for applications that require reliable power management and control. -
Package
The NTMFS4C302NT1G chip has a package type of DFN (Dual Flat No-Lead), form of SON (Small Outline No-Lead), and size of 3mm x 3mm.
Fiche de données PDF
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