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ON NTMFS4C302NT1G 48HRS

MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: NTMFS4C302NT1G

Fiche de données: NTMFS4C302NT1G Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SO-FL EP

Statut RoHS:

État des stocks: 2871 pièces, nouveau original

type de produit: Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $0,972 $0,972
10 $0,773 $7,730
30 $0,663 $19,890
100 $0,540 $54,000
500 $0,420 $210,000
1500 $0,394 $591,000

In Stock:2871 PCS

- +

Citation courte

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NTMFS4C302NT1G Description générale

The NTMFS4C302N is a Single N-Channel Power MOSFET with a small footprint that is perfect for compact designs.

Caractéristiques

  • Small Footprint (5 x 6 mm)
  • Low RDS(on)
  • Low QG and Capacitance
  • RoHS Compliant

Application

  • This product is general usage and suitable for many different applications

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: ON Semiconductor Product Category: MOSFET
RoHS: Y Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SO-8FL-8
Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Id - Continuous Drain Current: 230 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.15 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.3 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 82 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 96 W Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement Packaging: Reel
Brand: ON Semiconductor Forward Transconductance - Min: 135 S
Fall Time: 11 ns Product Type: MOSFET
Rise Time: 19 ns Factory Pack Quantity: 1500
Subcategory: MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time: 42 ns
Typical Turn-On Delay Time: 20 ns Tags NTMFS4C3, NTMFS4C, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM
Source Content uid NTMFS4C302NT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Manufacturer Package Code 488AA Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 66 Weeks
Samacsys Manufacturer onsemi Avalanche Energy Rating (Eas) 186 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 41 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0017 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F5 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 5 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 96 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 388 A Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Element Material SILICON

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET chip designed for fast switching applications in power management circuits. It offers a low ON-resistance and low gate charge, resulting in improved efficiency and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as smartphones, tablets, and laptops, to enhance power conversion and control capabilities.
  • Features

    The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET that offers a low on-resistance and fast switching capability. It is capable of handling high current levels while maintaining low power dissipation. The device is designed for various applications, including power management and conversion circuits, such as voltage regulator modules, DC-DC converters, and synchronous rectification.
  • Pinout

    The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET with a pin count of 8. It is used for power management applications and has a maximum drain current of 72A.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NTMFS4C302NT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that develops and manufactures a wide range of integrated circuits and discrete devices for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The NTMFS4C302NT1G is a high-performance power MOSFET that can be used in various applications, including power supplies, motor control, DC-DC converters, and load switches. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for applications that require reliable power management and control.
  • Package

    The NTMFS4C302NT1G chip has a package type of DFN (Dual Flat No-Lead), form of SON (Small Outline No-Lead), and size of 3mm x 3mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire NTMFS4C302NT1G PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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