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ON NTR2101PT1G
Single P-Channel 8 V 120 mOhm 15 nC 0.96 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: NTR2101PT1G
Fiche de données: NTR2101PT1G Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23
Statut RoHS:
État des stocks: 3387 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 5 | $0,154 | $0,770 |
| 50 | $0,122 | $6,100 |
| 150 | $0,107 | $16,050 |
| 500 | $0,090 | $45,000 |
| 3000 | $0,082 | $246,000 |
| 6000 | $0,078 | $468,000 |
In Stock:3387 PCS
NTR2101PT1G Description générale
P CHANNEL MOSFET, -8V, 3.7A, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3.7A; Drain Source Voltage Vds: -8V; On Resistance Rds(on): 0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 960mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min: -55°C
Caractéristiques
- Leading Trench Technology for Low RDS(on)
- -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
- SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm)
Application
- High Side Load Switch
- DC-DC Conversion
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | NTR2101PT1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Part Package Code | SOT-23 (TO-236) 3 LEAD | Package Description | LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| Pin Count | 3 | Manufacturer Package Code | 318-08 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 59 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 8 V |
| Drain Current-Max (ID) | 3.7 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.052 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-236AB |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.96 W | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | feature-category | Small Signal |
| feature-material | feature-process-technology | TMOS | |
| feature-configuration | Single | feature-channel-mode | Enhancement |
| feature-channel-type | P | feature-number-of-elements-per-chip | 1 |
| feature-maximum-drain-source-voltage-v | 8 | feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±8 |
| feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | feature-maximum-continuous-drain-current-a | 3.7 | |
| feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | [email protected] | feature-typical-gate-charge-vgs-nc | [email protected] |
| feature-typical-gate-charge-10v-nc | feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1173@4V | |
| feature-typical-output-capacitance-pf | feature-maximum-power-dissipation-mw | 960 | |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | SOT-23 |
| feature-standard-package-name1 | SOT | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | No |
| feature-svhc-exceeds-threshold | No |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The NTR2101PT1G is a chip that functions as a dual-channel electrostatic discharge (ESD) protection device. It is designed to provide reliable protection for sensitive electronic components against ESD events by diverting harmful transient voltage away from the protected circuitry. This chip is commonly used in various electronic applications, including consumer electronics, automotive systems, and industrial equipment.
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Equivalent
Some of the equivalent products of the NTR2101PT1G chip include NTR2101P, NTR2101PT1, NTR2101PW, NTR2101PW1G, and NTR2101PW1G/MCP6321T-E/PC6321T-1, among others. -
Features
The NTR2101PT1G is a small-signal MOSFET transistor with a power dissipation of 100 mW, drain-source voltage of 60V, and continuous drain current of 1.7A. It features low on-resistance, fast switching speed, and is suitable for general-purpose amplification and switching applications. -
Pinout
The NTR2101PT1G is a Dual N-Channel Power MOSFET with a pin count of 6. It is used as a switching device in power management applications, offering low on-resistance and high efficiency. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTR2101PT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier that designs and manufactures a wide range of power and signal management, logic, discrete, and custom devices for various industries including automotive, industrial, consumer, aerospace, and more. -
Application Field
The NTR2101PT1G is a high-speed switching diode commonly used in applications such as clamp diodes, ESD protection, and AC line protection. It is designed to provide fast response times and low leakage currents, making it suitable for use in various electronic devices and circuits. -
Package
The NTR2101PT1G chip is available in an SOT-23 package type. The form is surface mount, and it has a small size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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