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RQ1E070RPTR
-30V P-channel Power MOSFET capable of handling current up to -7A
Marques: ROHM Semiconductor
Pièce Fabricant #: RQ1E070RPTR
Fiche de données: RQ1E070RPTR Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TSMT-8
Statut RoHS:
État des stocks: 5 403 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,308 | $0,308 |
| 10 | $0,267 | $2,670 |
| 30 | $0,251 | $7,530 |
| 100 | $0,227 | $22,700 |
| 500 | $0,218 | $109,000 |
| 1000 | $0,212 | $212,000 |
En stock: 5 403 PC
RQ1E070RPTR Description générale
The RQ1E070RPTR is the ultimate 70 Amp, 800 Volts fast recovery rectifier diode for your high current, high-speed switching applications. Housed in a TO-220 package, this diode is designed for power supplies, inverters, and motor controls, offering exceptional performance in various settings. With a low forward voltage drop of 1.15V at 70A, the RQ1E070RPTR is an ideal choice for high efficiency designs. Its fast recovery time of 50ns enables swift switching frequencies, ensuring smooth operation even in challenging conditions. Furthermore, with a maximum junction temperature of 150 ̊C, this diode delivers reliable performance even in high-temperature environments. Its reverse recovery time of 75ns minimizes switching losses, optimizing overall efficiency and performance. What's more, the RQ1E070RPTR is RoHS compliant and compatible with lead-free soldering processes, making it an environmentally conscious option for your electronic projects. Meeting industry standards such as JEDEC and IEC, this diode offers broad compatibility with various applications, making it a versatile and dependable choice for your electronic needs
Application
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | REACH | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSMT-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 12 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 50 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single | Fall Time | 70 ns |
| Forward Transconductance - Min | 6 S | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 35 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 140 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Part # Aliases | RQ1E070RP |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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