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RQ3G100GNTB
RQ3G100GNTB MOSFET N-channel 40V 10A HSMT-8
Marques: ROHM Semiconductor
Pièce Fabricant #: RQ3G100GNTB
Fiche de données: RQ3G100GNTB Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: HSMT-8
Statut RoHS:
État des stocks: 5 946 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,257 | $0,257 |
| 10 | $0,223 | $2,230 |
| 30 | $0,207 | $6,210 |
| 100 | $0,189 | $18,900 |
| 500 | $0,181 | $90,500 |
| 1000 | $0,176 | $176,000 |
En stock: 5 946 PC
RQ3G100GNTB Description générale
The RQ3G100GNTB is a high-quality Power Field-Effect Transistor designed for precision performance in various electronic applications. With a current rating of 10A and a voltage rating of 40V, this transistor offers efficient power management with a low on-resistance of 0.0183ohm. The N-Channel design, combined with Silicon material and Metal-oxide Semiconductor technology, ensures reliable and stable operation. Furthermore, the transistor is HALOGEN FREE and ROHS COMPLIANT, making it environmentally friendly and safe for use in different industries. The HSMT8 package features 8 pins, providing easy installation and secure connections for enhanced functionality
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | REACH | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | HSMT-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 11 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Qg - Gate Charge | 8.4 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single | Fall Time | 3.2 ns |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 4.2 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 23.1 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | Part # Aliases | RQ3G100GN |
| Unit Weight | 0.196723 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Paiement
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Emballage
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