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$5000SI2301DS-T1
MOSFET capable of handling 20 Volts, with a current rating of 2.3 Amps and a power dissipation of 1.25 Watts
Marques: VISHAY SILICONIX
Pièce Fabricant #: SI2301DS-T1
Fiche de données: SI2301DS-T1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 476 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2301DS-T1 Description générale
The SI2301DS-T1 is a versatile P-channel MOSFET that excels in low voltage applications. With its impressive -20 volt drain-source voltage rating and continuous -2.6 ampere drain current, this MOSFET is a reliable choice for efficient power management. Its low on-resistance of 0.09 ohms ensures minimal power loss, making it a cost-effective solution for a wide range of electronic designs
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Ihs Manufacturer | VISHAY SILICONIX | Part Package Code | SOT-23 |
| Package Description | TO-236, 3 PIN | Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Samacsys Manufacturer | Vishay | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 20 V | Drain Current-Max (ID) | 2.3 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.13 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-236 | JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
| JESD-609 Code | e0 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI2301DS-T1 is a power management chip commonly used in electronic devices to regulate power consumption and voltage levels. It is designed to improve efficiency and performance while minimizing heat generation. The chip is small in size and can be integrated into various electronic circuits to support stable power supply.
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Equivalent
Some equivalent products to the SI2301DS-T1 chip include SI2301BDS-T1-GE3, AO3401A, and SI2301B-DS-T1-E3. These chips are all P-channel MOSFET transistors with similar specifications and characteristics. -
Features
- N-channel MOSFET - Drain-Source Voltage: 20V - Continuous Drain Current: 2.4A - Low on-resistance - Small form factor (SOT-23 package) - Low threshold voltage - Suitable for low-power applications - RoHS compliant -
Pinout
The SI2301DS-T1 is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a SOT-23 package. It has a pin count of 3, with the pin functions as follows: Pin 1 (Source 1), Pin 2 (Gate 1), Pin 3 (Drain 1) for one FET and Pin 4 (Source 2), Pin 5 (Gate 2), Pin 6 (Drain 2) for the other FET. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2301DS-T1 is Vishay Siliconix. It is a global company that produces a wide range of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Siliconix specializes in designing and manufacturing power MOSFETs, analog switches, and integrated circuits for various industries, including automotive, telecommunications, computing, and consumer electronics. -
Application Field
The SI2301DS-T1 is a small-signal MOSFET transistor used primarily for voltage regulation, signal amplification, and switching applications in low-voltage circuits, such as portable electronic devices, power management systems, and sensor interfaces. Its compact size makes it suitable for space-constrained designs where efficiency and performance are essential. -
Package
The SI2301DS-T1 chip is offered in a SOT-23 package type. It is a N-channel MOSFET transistor that comes in a surface-mount form. The chip has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
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