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$5000SI2323DDS-T1-GE3
Surface Mount Power MOSFET SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY P Channel 20V 5.3A 0.032 ohm SOT-23
Marques: Vishay Siliconix
Pièce Fabricant #: SI2323DDS-T1-GE3
Fiche de données: SI2323DDS-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 206 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2323DDS-T1-GE3 Description générale
The SI2323DDS-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor with a 5.3A I(D) and 20V capacity. This P-channel silicon metal-oxide semiconductor FET is designed for reliability and performance, with a TO-236AB package and 3-pin configuration. Additionally, it is halogen-free and RoHS compliant, making it an environmentally friendly choice for your electronic circuit needs
Caractéristiques
Application
["Load Switch ", "PA Switch ", "DC/DC Converters ", "Power Management G"]Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | TrenchFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 8 V |
| Vgs (Max) | ±8V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
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Emballage
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