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$5000SI3493DDV-T1-GE3
20 Volt Power MOSFET
Marques: Vishay Siliconix
Pièce Fabricant #: SI3493DDV-T1-GE3
Fiche de données: SI3493DDV-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TSOP-6
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 182 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI3493DDV-T1-GE3 Description générale
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Caractéristiques
- Exceptional temperature tolerance
- Low noise operation
- Improved electromagnetic compatibility (EMC)
- Limited to no radiation interference
Application
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1825 pF @ 10 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI3493DDV-T1-GE3 is a power amplifier chip designed for use in RF applications. It operates at a frequency range of 1700MHz to 2200MHz, making it suitable for wireless communication systems. The chip features high efficiency and linearity, making it ideal for applications requiring high RF performance.
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Equivalent
Some equivalent products of SI3493DDV-T1-GE3 chip are Vishay Siliconix Si3493DV-T1-GE3, ON Semiconductor NDS3493A, and Diodes Inc. DMT3023LSS-13. They are all power MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
- P-channel MOSFET transistor with low on-resistance - Low gate threshold voltage for easy control - Small form factor with DFN package - RoHS compliant for environmental friendliness - Gate-source voltage of +/-8V for flexibility in operation -
Pinout
The SI3493DDV-T1-GE3 has a pin count of 8 and functions as a dual N-channel TrenchFET power MOSFET. It is commonly used in power management applications to regulate and control power flow in electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of SI3493DDV-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a leading company in the design and production of a wide range of discrete semiconductors and passive electronic components for industrial, automotive, consumer, and telecommunications markets. They are known for their high-quality and innovative solutions in the semiconductor industry. -
Application Field
SI3493DDV-T1-GE3 is a P-channel enhancement mode MOSFET transistor designed for use in power management applications such as load switching and battery protection circuits. It can also be used in voltage regulation and DC-DC converter circuits. Its high efficiency and low on-resistance make it suitable for various portable and battery-powered devices. -
Package
The SI3493DDV-T1-GE3 chip is available in a DFN-6 package type, with a form of tape and reel. It has a size of 2mm x 2mm x 0.55mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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