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SI7157DP-T1-GE3
Silicon MOSFET designed for power applications in a PowerPAK SO-8 package
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI7157DP-T1-GE3
Fiche de données: SI7157DP-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK-SO-8
Statut RoHS:
État des stocks: 8 954 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $0,815 | $0,815 |
200 | $0,316 | $63,200 |
500 | $0,305 | $152,500 |
1000 | $0,300 | $300,000 |
En stock: 8 954 PC
SI7157DP-T1-GE3 Description générale
This transistor features a single-element design in a HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT package, making it environmentally friendly and compliant with industry standards. The plastic PowerPAK SOP-8 package provides a compact and durable housing for the transistor, facilitating easy integration into circuit designs
![SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3](/files/uploads/product/b/24e4bae1d4a6439099a451559964e59f.webp)
Caractéristiques
- P-Channel power MOSFET with low threshold voltage
- High current handling and low saturation voltage
- Suitable for high-frequency applications
- Maintains high reliability in harsh environments
- Meets high standards for performance and quality
- Suitable for industrial automation control systems
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
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Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 60 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 2 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.4 V |
Qg - Gate Charge | 415 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 104 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 75 ns |
Forward Transconductance - Min | 120 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 120 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 230 ns | Typical Turn-On Delay Time | 115 ns |
Unit Weight | 0.017870 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI7157DP-T1-GE3 is a high-side power switch chip designed for integrated power management in a wide range of applications. It features a low RDS(ON) MOSFET and overcurrent protection, making it suitable for precise current monitoring and control. The chip is compact and efficient, offering a reliable solution for power distribution and protection.
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Equivalent
The equivalent products of SI7157DP-T1-GE3 chip are SI7157DP-T1-E3 and SI7157DP-T1-EE3. These are all dual P-channel 20 V (D-S) MOSFETs in a PowerPAK SC-70 package designed for use in portable electronics, power management applications, and load switching. -
Features
SI7157DP-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET with features such as low on-state resistance, high current carrying capability, and a small form factor. It has a drain-source voltage of -60V, a continuous drain current of -4.3A, and is designed for use in various power management applications. -
Pinout
SI7157DP-T1-GE3 is a 2-channel load switch with a 10-pin PowerPAK, max operating voltage of 5.5V, and 0.6A current limit. Pin functions include IN1, IN2, VBIAS, EN1, EN2, and GND. It is designed for power management in mobile devices and other portable applications. -
Manufacturer
SI7157DP-T1-GE3 is manufactured by Vishay Siliconix, a semiconductor manufacturer specializing in discrete semiconductors and passive electronic components. They offer a wide range of products including power MOSFETs, ICs, diodes, and optoelectronic components for a variety of industries such as automotive, industrial, communications, and consumer electronics. -
Application Field
The SI7157DP-T1-GE3 is commonly used in applications such as LED lighting, consumer electronics, and industrial automation. Its high efficiency, compact size, and low power consumption make it ideal for various voltage regulation and power management tasks in these applications. -
Package
The SI7157DP-T1-GE3 chip comes in a DFN-10 package type with a form factor of Surface Mount. It has a size of 3mm x 3mm and is designed for power management applications in a compact footprint.
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