ON FDG6316P
Dual P-Channel MOSFET Array with 12V Voltage Rating and 0.7A Current Rating
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDG6316P
Fiche de données: FDG6316P Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-323-6
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2492 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDG6316P Description générale
MOSFET, PP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):221mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-700mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:12V; Voltage Vgs Max:-600mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
Caractéristiques
- -0.7 A, -12 V
- RDS(ON) = 270 mΩ @ VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 360 mΩ @ VGS = -2.5 V
- RDS(ON) = 650 mΩ @ VGS = -1.8 V
- Low Gate Charge
- High-Performance Trench Technology for Extremelylow RDS(ON)
- Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-323-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
Id - Continuous Drain Current | 700 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 270 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
Qg - Gate Charge | 2.4 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 300 mW |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
Series | FDG6316P | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Dual | Fall Time | 13 ns |
Forward Transconductance - Min | 2.5 S | Height | 1.1 mm |
Length | 2 mm | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 13 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 2 P-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 8 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Width | 1.25 mm | Part # Aliases | FDG6316P_NL |
Unit Weight | 0.000988 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDG6316P chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and low gate charge, enabling efficient power management and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as power supplies, motor drives, and lighting applications.
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Pinout
The FDG6316P is a P-channel power MOSFET with a pin count of 6. Its main function is to control the flow of current in a circuit as a switch or amplifier. -
Application Field
The FDG6316P is a power MOSFET commonly used in various electronic applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It is suitable for high-current switching operations due to its low on-resistance and fast switching characteristics. -
Package
The package type of the FDG6316P chip is SOT-23. The chip has a form factor of surface mount with three leads. The size of the chip is approximately 2.9mm x 1.3mm.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
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