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ON FDG6316P

Dual P-Channel MOSFET Array with 12V Voltage Rating and 0.7A Current Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: FDG6316P

Fiche de données: FDG6316P Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SOT-323-6

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 2492 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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FDG6316P Description générale

MOSFET, PP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):221mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-700mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:12V; Voltage Vgs Max:-600mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

fdg6316p

Caractéristiques

  • -0.7 A, -12 V
  • RDS(ON) = 270 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 360 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • RDS(ON) = 650 mΩ @ VGS = -1.8 V
  • Low Gate Charge
  • High-Performance Trench Technology for Extremelylow RDS(ON)
  • Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage

Application

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-323-6 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
Id - Continuous Drain Current 700 mA Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Qg - Gate Charge 2.4 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 300 mW
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDG6316P Brand onsemi / Fairchild
Configuration Dual Fall Time 13 ns
Forward Transconductance - Min 2.5 S Height 1.1 mm
Length 2 mm Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 13 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 P-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 8 ns Typical Turn-On Delay Time 5 ns
Width 1.25 mm Part # Aliases FDG6316P_NL
Unit Weight 0.000988 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FDG6316P chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and low gate charge, enabling efficient power management and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as power supplies, motor drives, and lighting applications.
  • Pinout

    The FDG6316P is a P-channel power MOSFET with a pin count of 6. Its main function is to control the flow of current in a circuit as a switch or amplifier.
  • Application Field

    The FDG6316P is a power MOSFET commonly used in various electronic applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It is suitable for high-current switching operations due to its low on-resistance and fast switching characteristics.
  • Package

    The package type of the FDG6316P chip is SOT-23. The chip has a form factor of surface mount with three leads. The size of the chip is approximately 2.9mm x 1.3mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire FDG6316P PDF Télécharger

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    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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