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ON HUF75339P3

N-Channel 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: HUF75339P3

Fiche de données: HUF75339P3 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-220

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 2229 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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HUF75339P3 Description générale

These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.
Formerly developmental type TA75339.

huf75339p3

Caractéristiques

  • 75A, 55V
  • SPICE and SABER Thermal Impedance Models
  • Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Models
  • Peak Current vs Pulse Width Curve
  • UIS Rating Curve
  • Related Literature
      - TB334, "Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards"

Application

  • AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
  • Workstation
  • Server & Mainframe

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V Id - Continuous Drain Current: 75 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 12 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 130 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 200 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: UltraFET Series: HUF75339P3
Packaging: Tube Brand: onsemi / Fairchild
Configuration: Single Fall Time: 25 ns
Height: 16.3 mm Length: 10.67 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 60 ns
Factory Pack Quantity: 50 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns Typical Turn-On Delay Time: 15 ns
Width: 4.7 mm Part # Aliases: HUF75339P3_NL
Unit Weight: 0.068784 oz feature-category Power MOSFET
feature-material Si feature-process-technology UltraFET
feature-configuration Single feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type N feature-number-of-elements-per-chip 1
feature-maximum-drain-source-voltage-v 55 feature-maximum-gate-source-voltage-v ±20
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 4 feature-maximum-continuous-drain-current-a 75
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 12@10V feature-typical-gate-charge-vgs-nc 110@20V
feature-typical-gate-charge-10v-nc feature-typical-input-capacitance-vds-pf 2000@25V
feature-typical-output-capacitance-pf feature-maximum-power-dissipation-mw 200000
feature-packaging Tube feature-rad-hard
feature-pin-count 3 feature-supplier-package TO-220
feature-standard-package-name1 TO feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold No

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

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Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The HUF75339P3 is a power MOSFET chip designed for high-current applications. It provides low ON-resistance and high switching speed, making it suitable for power management and motor control circuits. The chip can handle high levels of current while minimizing power dissipation and temperature rise. Its compact size and robust construction make it an efficient choice for various electronic devices and systems.
  • Features

    The HUF75339P3 is a N-channel MOSFET transistor with a drain-source voltage (VDS) of 55V, a continuous drain current (ID) of 75A, and a low on-resistance (RDS(on)) of 3.9mΩ. It features a compact and space-saving package, making it suitable for various applications in power electronics such as motor control, power supplies, and inverters.
  • Pinout

    The HUF75339P3 is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 3. The three pins are G (gate), D (drain), and S (source), which are used for controlling the flow of current in a circuit.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the HUF75339P3 is ON Semiconductor. It is a global semiconductor supplier, providing a comprehensive portfolio of energy-efficient, easy-to-use products that help customers solve their unique design challenges across a wide range of applications.
  • Application Field

    The HUF75339P3 is a MOSFET transistor that is commonly used in automotive applications such as powertrain control, electric power steering, and ignition systems. It can also be used in industrial applications that require high power switching capability, such as motor control and battery charging systems.
  • Package

    The package type of the HUF75339P3 chip is TO-220, its form is through-hole, and the size is approximately 10.16mm x 15.87mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire HUF75339P3 PDF Télécharger

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  • shipping

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