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ON HUF75645P3

N-Channel UltraFET Power MOSFET with a voltage rating of 100V, a current rating of 75A, and a low on-resistance of 14mΩ

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: HUF75645P3

Fiche de données: HUF75645P3 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-220-3

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 2433 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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HUF75645P3 Description générale

The HUF75645P3 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-performance applications. It belongs to the HUF7564 series produced by Vishay Siliconix, a renowned semiconductor manufacturer. This MOSFET is engineered to operate at high voltages and currents efficiently, making it suitable for various power management and switching applications.Key specifications of the HUF75645P3 include a drain-source voltage (VDS) rating of 150 volts and a continuous drain current (ID) of 75 amperes. With these ratings, it can handle substantial power loads while maintaining stable operation. The MOSFET features a low on-resistance (RDS(ON)) of 8.5 milliohms, which minimizes power losses and enhances efficiency during conduction.Its robust design ensures reliability even under demanding conditions, making it suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications where high reliability is essential. The HUF75645P3 is housed in a TO-220 package, providing ease of mounting and thermal management.

huf75645p3

Caractéristiques

  • The HUF75645P3 is a N-channel UltraFET MOSFET with a high current capacity of 75A, a low on-resistance of 3
  • 2mΩ, and a fast switching speed
  • It is designed for high-power applications such as motor drives, power supplies, and DC-DC converters
  • This MOSFET also has a low gate charge and high avalanche ruggedness
  • Application

  • The HUF75645P3 is a Power MOSFET designed for automotive applications, particularly in electronic power steering, DC-DC converters, and load switching
  • Its features include low on-resistance, high dv/dt capability, and fast switching speed, making it suitable for various automotive power management tasks requiring efficiency and reliability
  • Caractéristiques

    Paramètre Valeur Paramètre Valeur
    Product Category MOSFET RoHS Details
    REACH Details Technology Si
    Mounting Style Through Hole Package / Case TO-220-3
    Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
    Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V Id - Continuous Drain Current 75 A
    Rds On - Drain-Source Resistance 14 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
    Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 238 nC
    Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
    Pd - Power Dissipation 310 W Channel Mode Enhancement
    Tradename UltraFET Series HUF75645P3
    Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
    Fall Time 97 ns Height 16.3 mm
    Length 10.67 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 117 ns Factory Pack Quantity 50
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
    Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 41 ns
    Typical Turn-On Delay Time 14 ns Width 4.7 mm
    Part # Aliases HUF75645P3_NL

    Expédition

    Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
    LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

    Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

    Paiement

    Modalités de paiement Frais de main
    Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
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    Western union Western union charge US.00 banking fee.
    Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

    Garanties

    1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

    2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

    Emballage

    • Produit

      Étape1 :Produit

    • Emballage sous vide

      Étape2 :Emballage sous vide

    • Sac antistatique

      Étape3 :Sac antistatique

    • Emballage individuel

      Étape4 :Emballage individuel

    • Boîtes d'emballage

      Étape5 :Boîtes d'emballage

    • étiquette d'expédition à code-barres

      Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

    Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

    L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

    Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

    Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

    • ESD
    • ESD

    Points de pièce

    • The HUF75645P3 chip is a power MOSFET designed for high power applications. It is capable of handling large currents and voltages with low conduction and switching losses. It offers efficient power management and protection features for improved system performance. The HUF75645P3 chip is commonly used in industrial and automotive applications where high power and reliability are essential.
    • Features

      The HUF75645P3 is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 80V and a continuous drain current of 95A. It has a low on-resistance of 4.9mΩ and is suitable for use in high-power applications.
    • Pinout

      The HUF75645P3 is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 8 and the functions of each pin are as follows: Pin 1 (Source), Pin 2 (Gate), Pin 3 (Drain), Pin 4 (NC), Pin 5 (NC), Pin 6 (NC), Pin 7 (NC), and Pin 8 (NC).
    • Manufacturer

      The manufacturer of the HUF75645P3 is Infineon Technologies. It is a German semiconductor manufacturing company that produces a wide range of components and systems for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
    • Application Field

      The HUF75645P3 is a power MOSFET transistor typically used in switching applications such as motor control, high-frequency and fast switching power supplies, and other electronics requiring high voltage and current handling capabilities.
    • Package

      The HUF75645P3 chip is in a TO-220AB package type, with a through-hole mounting form. Its size measures approximately 10.16mm x 15.9mm.

    Fiche de données PDF

    Spécification préliminaire HUF75645P3 PDF Télécharger

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