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ON HUF75639S3ST 48HRS

N-Channel 100V 0.025 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-263AB

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: HUF75639S3ST

Fiche de données: HUF75639S3ST Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: D2PAK-3 , TO-263-2

Statut RoHS:

État des stocks: 2716 pièces, nouveau original

type de produit: Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $1,391 $1,391
10 $1,361 $13,610
30 $1,341 $40,230
100 $1,321 $132,100

In Stock:2716 PCS

- +

Citation courte

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HUF75639S3ST Description générale

These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low-voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.

huf75639s3st

Caractéristiques

  • 56A, 100V
  • Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models
  • SPICE and SABER Thermal Impedance Models
  • Peak Current vs Pulse Width Curve
  • UIS Rating Curve

Application

  • AC-DC Merchant Power Supply
  • Consumer Appliances
  • DC-DC Merchant Power Supply
  • Desktop PC
  • Distribution

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Status Active Compliance PbAHP
Package Type D2PAK-3 / TO-263-2 Case Outline 418AJ
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 245
Container Type REEL Container Qty. 800
ON Target Y Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 100
VGS Max (V) ±20 VGS(th) Max (V) 4
ID Max (A) 56 PD Max (W) 200
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 25 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 57
Ciss Typ (pF) 2000

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The HUF75639S3ST is a high-performance power MOSFET chip. It is designed to handle high voltage and current in various electronics applications. This chip offers low on-resistance, high switching speeds, and excellent thermal performance. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-power applications where efficient and reliable performance is crucial.
  • Equivalent

    The equivalent products of the HUF75639S3ST chip may include the FDS9385, IRF6645, IRF7789, IRLR7730, IRFI7750G, or IRFS7730.
  • Pinout

    The HUF75639S3ST is a power MOSFET. It has a pin count of 8 and is used for high-speed switching applications.
  • Application Field

    The HUF75639S3ST is a power MOSFET transistor designed for use in applications that require high efficiency and high performance. It can be used in a variety of applications, including power supplies, motor control, and automotive systems.
  • Package

    The HUF75639S3ST chip is available in a TO-263AB package type, surface mount form, and has a size of 10.16mm x 10.16mm x 4.57mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire HUF75639S3ST PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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