Commandes de plus de
$5000IXFH60N50P3
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFH60N50P3
Fiche de données: IXFH60N50P3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 674 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH60N50P3 Description générale
Unleash the power of the IXFH60N50P3, the latest innovation from our PolarP3™ HiPerFET™ product family. With a focus on high performance in the 300V, 500V, and 600V range, this product offers an impressive Figure of Merit (FOM) that surpasses traditional super junction technologies. The IXFH60N50P3 delivers unparalleled results, including up to a 12 percent reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent decrease in gate charge (Qg), and an outstanding 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Additionally, advancements in thermal management have been achieved through reduced chip thicknesses, resulting in lower thermal resistances and increased total power density. Elevate your electronics with the superior capabilities of the IXFH60N50P3
Caractéristiques
- Increased power conversion
- High-efficiency operation
- Compact design
- Easy integration
Application
- Cutting-edge energy solutions
- Intelligent power management
- Efficient motor control
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 60 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V | Qg - Gate Charge | 96 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 1.04 mW | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | HiPerFET | Series | IXFH60N50 |
Brand | IXYS | Configuration | Single |
Fall Time | 8 ns | Forward Transconductance - Min | 60 S, 35 S |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 16 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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