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Commandes de plus de
$5000IXFH26N60Q
Compact and efficient for high-reliability design
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFH26N60Q
Fiche de données: IXFH26N60Q Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH26N60Q Description générale
The IXFH26N60Q, belonging to the esteemed Q-Class series, is a leading Power MOSFET known for its outstanding performance in hard switching and resonant mode applications. Its low gate charge and excellent ruggedness, coupled with a fast intrinsic diode, make it a popular choice for industrial use. Furthermore, the availability of this device in a variety of standard industrial packages, including isolated types, further contributes to its widespread appeal and utility across different industrial settings
Caractéristiques
- Enhanced Conduction Path
- Rapid Recovery Time
- Superior Heat Dissipation
- Reliable Performance
Application
- Efficient power
- Compact design
- Reliable performance
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 360 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | HyperFET | Series: | IXFH26N60 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 16 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 22 S | Height: | 21.46 mm |
| Length: | 16.26 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 32 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Width: | 5.3 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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IXFH26N60Q chip is a power MOSFET semiconductor device used in various high-power applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching speed. The chip can handle high voltage and current levels efficiently, making it suitable for power supplies, motor drives, and industrial controls. Its robust construction and thermal management capabilities make it reliable for demanding applications.
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Equivalent
Equivalent products of the IXFH26N60Q chip include the STW18N60M2, STB26N60MQ, PSMN2R9-60YMS, and IPP60R280P6XKSA1. These devices have similar specifications and functionalities to the IXFH26N60Q chip. -
Features
The IXFH26N60Q is a power MOSFET with a voltage rating of 600V and a current rating of 26A. It offers low on-resistance, fast switching capability, and high avalanche ruggedness. The device is suitable for use in various power applications, such as switch mode power supplies, motor control systems, and electronic ballasts. -
Pinout
The IXFH26N60Q is a MOSFET transistor with 4 pins. The pins are used for different functions: pin 1 is for the gate, pin 2 is for the source, pin 3 is for the drain, and pin 4 is for the body/diode. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IXFH26N60Q. It is a German semiconductor manufacturing company that focuses on power semiconductors and system solutions. -
Application Field
The IXFH26N60Q is a power MOSFET commonly used in applications such as switch mode power supplies, UPS systems, motor controls, and welding equipment. -
Package
The IXFH26N60Q chip is packaged in a TO-247 form, which is a through-hole package type. The package size of this chip is relatively larger compared to other surface-mount packages.
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