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IXFK160N30T

Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: IXYS

Pièce Fabricant #: IXFK160N30T

Fiche de données: IXFK160N30T Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-264-3

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IXFK160N30T ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IXFK160N30T Description générale

When it comes to power MOSFETs, the IXFK160N30T shines as a standout performer in the field. With a focus on low power dissipation and high efficiency, this product is engineered to excel in low voltage, high current scenarios where performance is paramount. Its robust construction and wide temperature range make it a versatile choice for demanding applications across various industries, from automotive to industrial sectors

Caractéristiques

  • Robust Construction Guaranteed
  • Fast Response Time Available
  • Wide Operating Range Provided
  • Low Current Consumption Offered

Application

  • Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
  • DC-DC Converters
  • Battery Chargers
  • Uninterrupted Power Supplies
  • AC motor drives
  • DC Choppers

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: IXYS Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-264-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 300 V Id - Continuous Drain Current: 160 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 19 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V Qg - Gate Charge: 335 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 1.39 kW Channel Mode: Enhancement
Tradename: HiPerFET Series: IXFK160N30
Packaging: Tube Brand: IXYS
Configuration: Single Fall Time: 25 ns
Product Type: MOSFET Rise Time: 38 ns
Factory Pack Quantity: 25 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 105 ns
Typical Turn-On Delay Time: 37 ns

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IXFK160N30T is a power MOSFET transistor chip designed for high-power applications. It has a voltage rating of 300V, a current rating of 160A, and features low on-resistance and high-speed switching capabilities. This chip is commonly used in applications such as motor drives, power supplies, and industrial equipment.
  • Equivalent

    The equivalent products of IXFK160N30T chip are: 1. Infineon Technologies IXFH30N90Q3 2. Infineon Technologies IXFV30N90Q3S 3. Infineon Technologies IXFX30N90Q3 4. Infineon Technologies IXFK120N30T2 5. Infineon Technologies IXFN38N100Q3 These are all power MOSFETs from Infineon Technologies with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    1. Vdss = 300 V 2. Rds(on) = 0.16 Ω 3. Id = 160 A 4. Qg = 58 nC 5. Fast switching 6. Low gate charge 7. Ultra-low on-resistance 8. Temperature and current protected gate drive IXFK160N30T is a high-performance MOSFET with low on-resistance, high current capability, and fast switching, suitable for power applications.
  • Pinout

    The IXFK160N30T is a power MOSFET with a pin count of 3. It features a maximum drain current of 160A and a breakdown voltage of 300V. The function of the IXFK160N30T is to control the flow of electrical current in high power applications, such as motor drives, power supplies, and renewable energy systems.
  • Manufacturer

    The IXFK160N30T is manufactured by IXYS Corporation. It is a power semiconductor company that designs, manufactures, and markets a variety of semiconductor products such as power MOSFETs, IGBT modules, rectifiers, and thyristors for applications in industries such as consumer, telecommunications, automotive, medical, and industrial.
  • Application Field

    The IXFK160N30T is a high voltage and high speed MOSFET suitable for a wide range of applications where efficient power switching and high frequency operation are required. It can be used in power supplies, motor control, lighting, and audio amplifiers, as well as in industrial and automotive applications.
  • Package

    The IXFK160N30T chip is available in a TO-264 package type, with a transistor discrete semiconductor module. It has a form factor of a single transistor and a size of approximately 20mm x 10mm x 5mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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