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$5000
IXFK27N80Q
Low threshold voltage of 4mA for efficient operation
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFK27N80Q
Fiche de données: IXFK27N80Q Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-264-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $8,887 | $8,887 |
10 | $8,756 | $87,560 |
25 | $8,531 | $213,275 |
100 | $8,334 | $833,400 |
En stock: 9 458 PC
IXFK27N80Q Description générale
As a flagship product in the Q-Class series, the IXFK27N80Q Power MOSFET stands out for its superior performance in both hard switching and resonant mode applications. With its low gate charge and excellent ruggedness, this device is a go-to choice for engineers looking for reliability and efficiency in their industrial designs. The fast intrinsic diode adds an extra layer of convenience and reliability to the IXFK27N80Q, making it a versatile solution for a wide range of electronic applications. Available in isolated types and other standard industrial packages, this MOSFET offers flexibility and convenience for various circuit designs
Caractéristiques
- Advanced Power Management
- High-Speed Logic Capabilities
- Robust ESD Protection
- Safe Operating Voltage Range
- Low Noise and Distortion
- Wide Temperature Tolerance
- Reliable power supply
- Innovative solution
- Superior performance
Application
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-264-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | Id - Continuous Drain Current: | 27 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 320 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 170 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 500 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HiPerFET | Series: | HiPerFET |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 13 ns |
Forward Transconductance - Min: | 20 S | Height: | 26.16 mm |
Length: | 19.96 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 28 ns | Factory Pack Quantity: | 25 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | HiPerFET Power MOSFETS Q-CLASS | Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Width: | 5.13 mm |
Unit Weight: | 0.352740 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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