Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

IXFK44N50

N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: IXYS

Pièce Fabricant #: IXFK44N50

Fiche de données: IXFK44N50 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-264-3

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 8 681 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IXFK44N50 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IXFK44N50 Description générale

Offering a blend of reliability and performance, the N-Channel HiPerFET™ Standard series, which includes the popular IXFK44N50 product, is a go-to option for industry professionals. Designed for versatility, these Power MOSFETs are suitable for a range of applications, from hard switching to resonant mode operations. With a focus on efficiency, these MOSFETs boast low gate charge and robust construction. Additionally, the fast intrinsic diode ensures optimal functionality. Available in various standard industrial packages, including isolated types, these MOSFETs offer flexibility in design and implementation

Caractéristiques

  • Robust Construction
  • Minimal Thermal Runaway
  • Low Current Noise

Application

  • Customizable settings
  • Seamless integration
  • Enhanced efficiency

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer IXYS Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-264-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V Id - Continuous Drain Current 44 A
Rds On - Drain-Source Resistance 120 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 500 W Channel Mode Enhancement
Tradename HiPerFET Series HiPerFET
Brand IXYS Configuration Single
Fall Time 30 ns Forward Transconductance - Min 42 S
Height 26.16 mm Length 19.96 mm
Product Type MOSFET Rise Time 60 ns
Factory Pack Quantity 25 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 100 ns
Typical Turn-On Delay Time 30 ns Width 5.13 mm
Unit Weight 0.352740 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...