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$5000
IXFN140N25T
Trench Power MOSFET
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFN140N25T
Fiche de données: IXFN140N25T Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-227B
Statut RoHS:
État des stocks: 5 857 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $84,807 | $84,807 |
200 | $33,839 | $6767,800 |
500 | $32,708 | $16354,000 |
1000 | $32,149 | $32149,000 |
En stock: 5 857 PC
IXFN140N25T Description générale
Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(on), thus guaranteeing very low power Dissipation. This, combined with wide ranging operating junction temperature from -40 °C to 175 °C make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.
Caractéristiques
- International Standard Packages
- Low R
- DS(ON)
- Avalanche rated
- High Current Handling Capability
- Fast Intrinsic Rectifier
- Advantages:
- Easy to Mount
- Space Savings
- High power density
Application
- Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
- DC-DC Converters
- Battery Chargers
- Uninterrupted Power Supplies
- AC motor drives
- DC Choppers
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS | Details | Type | GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
Technology | Si | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | IXFN140N25 | Brand | IXYS |
Configuration | Single | Fall Time | 22 ns |
Height | 12.22 mm | Id - Continuous Drain Current | 120 A |
Length | 38.23 mm | Number of Channels | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 690 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance | 17 mOhms | Rise Time | 29 ns |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename | HiPerFET | Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 92 ns | Typical Turn-On Delay Time | 33 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
Width | 25.42 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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