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IXFN38N100Q2
Transistor MOSFET in N-channel configuration with a voltage rating of 1KV, rated for a maximum current of 38A, in a 4-pin SOT-227B package
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFN38N100Q2
Fiche de données: IXFN38N100Q2 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-227-4,miniBLOC
Statut RoHS:
État des stocks: 6 474 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $32,415 | $32,415 |
| 30 | $30,961 | $928,830 |
En stock: 6 474 PC
IXFN38N100Q2 Description générale
N-Channel 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Caractéristiques
- Double metal process for low gate resistance
- miniBLOC, with Aluminium nitride isolation
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low package inductance
- Fast intrinsic Rectifier
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™, Q2 Class | Package | Tube |
| Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 19A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 890W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B | Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Base Product Number | IXFN38 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXFN38N100Q2 is a power MOSFET transistor designed for use in high-power applications. It has a low on-resistance and high voltage capability, making it suitable for use in switching converters, motor controls, and other high-power applications. This chip offers high efficiency and reliability in a compact package.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFN38N100Q2 chip are Infineon IPP038N10N3G and IRF44N100F. These chips have similar specifications and can be used as alternatives in various applications such as power supplies and motor control. -
Features
IXFN38N100Q2 is a 1000V, 38A, 0.115Ω MOSFET designed for high power applications. It has low on-state resistance, high current capability, and low gate charge. It features a TO-268 package with high thermal conductivity and is suitable for switch mode power supplies, motor control, and automotive applications. -
Pinout
The IXFN38N100Q2 is a 4-pin IGBT module with three pins for the gate, collector, and emitter connections and one pin for the heat sink. It is a power transistor used for amplification and switching of electrical signals in high power applications such as power supplies, motor controls, and renewable energy systems. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of the IXFN38N100Q2. It is a semiconductor company that specializes in power semiconductors, including high-power IGBTs, MOSFETs, and rectifier diodes. They provide power management solutions for a wide range of industries, including automotive, consumer electronics, and renewable energy. -
Application Field
The IXFN38N100Q2 is a power MOSFET transistor commonly used in high power applications such as motor control, power supplies, inverters, and welding equipment. It is designed for high current and low on-state resistance, making it ideal for use in industrial and automotive systems requiring efficient power management. -
Package
The IXFN38N100Q2 chip is available in a TO-263 package type, with a surface mount form. It has a size of 10.54mm x 19.56mm x 4.57mm (width x length x height).
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