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IXFN60N80P
4-pin SOT-227B, IXYS IXFN60N80P N-channel MOSFET Transistor & Diode, 800V, 53A
Marques: Littelfuse
Pièce Fabricant #: IXFN60N80P
Fiche de données: IXFN60N80P Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-227-4
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $18,226 | $18,226 |
| 10 | $17,564 | $175,640 |
| 30 | $16,421 | $492,630 |
| 100 | $15,421 | $1542,100 |
En stock: 9 458 PC
IXFN60N80P Description générale
The innovative product IXFN60N80P boasts a unique combination of features that set it apart from other offerings in the market. With a faster body diode and reduced reverse recovery time (trr), these Polar™ HiPerFETs are specifically designed for applications such as phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply (UPS) systems. This makes them an ideal choice for industries that require high performance and reliability
Caractéristiques
- Improved Thermal Resistance
- Reduced Volumetric Efficiency
- Easier Mounting
Application
- Advanced Power Converter
- Reliable Battery Backup
- Precision Motor Control
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (V) | 800 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.14 |
| Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 53 | Gate Charge (nC) | 250 |
| Input Capacitance, CISS (pF) | 18000 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.12 |
| Configuration | Single | Package Type | SOT-227 |
| Power Dissipation (W) | 1040 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
| Sample Request | Yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXFN60N80P is a power MOSFET chip used for high-voltage applications. It features a low on-state resistance and is designed to handle high currents. This chip is popular for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFN60N80P chip are Infineon's IPB60R380CE, Fairchild's FSCQNSM336, and STMicroelectronics' STW60N95K5. These products are power MOSFETs with similar specifications and characteristics, suitable for high power applications. -
Features
1. N-channel enhancement mode power MOSFET 2. High current rating of 60A 3. Voltage rating of 800V 4. Low on-resistance for efficient power management 5. Integrated fast body diode for improved switching performance 6. RoHS compliant and lead (Pb)-free package 7. Suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power applications. -
Pinout
The IXFN60N80P is a MOSFET with a TO-268 package, having 3 pins. Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. It is used for switching and amplifying electronic signals in power applications with a voltage rating of 800V and a current rating of 60A. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXFN60N80P is IXYS Corporation. They are a semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. They provide products for a wide range of industries, including automotive, communication, industrial, and medical markets. -
Application Field
The IXFN60N80P is commonly used in power conversion applications such as inverters, motor drives, and power supplies. It is also used in welding equipment, plasma cutters, and induction heating systems due to its high power handling capabilities and low loss characteristics. Additionally, it can be found in renewable energy systems like solar inverters and wind turbines. -
Package
The IXFN60N80P chip is packaged in a TO-268 form, TO-247AC package type, and has a size of 5.2mm x 12.5mm x 19.7mm.
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