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$5000
IXFN73N30
4 power transistor for high current applications
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFN73N30
Fiche de données: IXFN73N30 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-227B
Statut RoHS:
État des stocks: 8 243 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $51,063 | $51,063 |
| 200 | $20,376 | $4075,200 |
| 500 | $19,694 | $9847,000 |
| 1000 | $19,358 | $19358,000 |
En stock: 8 243 PC
IXFN73N30 Description générale
When it comes to power management, the N-Channel HiPerFET™ Standard series stands out for its unparalleled performance and versatility. Take the popular product IXFN73N30, for instance, which showcases the epitome of Power MOSFET technology. Whether you're engaging in hard switching operations or exploring resonant mode applications, these MOSFETs ensure optimal efficiency and durability. Equipped with a fast intrinsic diode and featuring a low gate charge, along with various industrial package options including isolated varieties, this series sets a new standard in power component excellence
Caractéristiques
- Fast Turn-On Time
- Low Gate Charge
- Pulse Withstanding Capability
Application
- Excellent performance
- Long-lasting durability
- Flexible application
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
| Type | HiperFET | Technology | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Mounting Style | Screw Mount |
| Package / Case | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | HiPerFET |
| Brand | IXYS | Configuration | Single |
| Fall Time | 50 ns | Height | 9.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 73 A | Length | 38.23 mm |
| Number of Channels | 1 Channel | Pd - Power Dissipation | 520 W |
| Product Type | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
| Rise Time | 80 ns | Factory Pack Quantity | 10 |
| Subcategory | Discrete Semiconductor Modules | Tradename | HyperFET |
| Transistor Polarity | N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 100 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 300 V |
| Width | 25.42 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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IXFN73N30 is a high-voltage power MOSFET chip designed for use in applications where high power and efficiency are required. It features a maximum drain-source voltage of 300V and a continuous drain current of 73A. The chip is ideal for high-power industrial applications such as motor control, power supplies, and inverters.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFN73N30 chip are IRFH5330, IRFS7730, IXTN73N30, and IXFH33N30. These chips have similar specifications and can be used as alternatives to the IXFN73N30 chip in various applications. -
Features
IXFN73N30 is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 300V, a current rating of 73A, and a low on-resistance of 0.095 ohms. It is designed for high power applications, offers high efficiency and low noise operation, and is suitable for use in inverters, motor controllers, and power supplies. -
Pinout
IXFN73N30 is a power MOSFET transistor with a pin count of 3. The pin functions are Gate, Drain, and Source. It is used in high-power applications for switching and amplification. -
Manufacturer
IXFN73N30 is manufactured by IXYS Corporation. They are a global power semiconductor manufacturer with a focus on power semiconductors and integrated circuits used in power control and conversion applications.IXYS Corporation is headquartered in California, USA. -
Application Field
IXFN73N30 is commonly used in high-frequency power converters, motor control, and switching applications due to its high efficiency and fast switching speed. It is also suitable for use in solar inverters, uninterruptible power supplies, and electric vehicles. -
Package
The IXFN73N30 chip is in a TO-268 package, with a through-hole form, and a size of 10.42mm x 10.42mm.
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