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$5000IXGQ90N33TCD1
This product is a Trans IGBT Chip designed for high-power applications with a 330V voltage threshold
Marques: Ixys
Pièce Fabricant #: IXGQ90N33TCD1
Fiche de données: IXGQ90N33TCD1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-3P
type de produit: Single IGBTs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 610 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXGQ90N33TCD1 Description générale
IGBT Trench 330 V 90 A 200 W Through Hole TO-3P
Caractéristiques
- High-performance applications with low-power consumption
- Efficient power conversion for improved efficiency
Application
- UPS systems
- Industrial machinery
- Battery chargers
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-3P |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 330 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 90 A |
| Pd - Power Dissipation | 200 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | IXYS |
| Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
| Unit Weight | 0.194007 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXGQ90N33TCD1 chip is a high-power GaN transistor designed for radio frequency and power amplifier applications. It offers high efficiency, high power density, and high voltage capabilities, making it ideal for use in demanding RF and power amplifier systems.
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Equivalent
The equivalent products of IXGQ90N33TCD1 chip are Infineon's CoolMOS N-Channel Power MOSFETs such as IPA60R190C6, IPB60R190C6, and IPD60R190C6. These products offer similar functionalities and characteristics, making them suitable replacements for the IXGQ90N33TCD1 chip. -
Features
1. GaN-on-SiC technology for high power and efficiency 2. 90W minimum power 3. 330-360 MHz frequency 4. Lightweight and compact design 5. High temperature operation up to 110°C 6. Integrated matching network for easy integration into RF systems -
Pinout
The IXGQ90N33TCD1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The functions of the pins are gate, drain, and source, used for controlling the flow of current in the circuit. -
Manufacturer
IXGQ90N33TCD1 is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company. Infineon specializes in the production of power semiconductors, automotive semiconductors, and sensors. -
Application Field
The IXGQ90N33TCD1 is a high-power RF transistor commonly used in applications such as aerospace, defense, industrial, and medical equipment. It is suitable for high-frequency amplification, radar systems, and satellite communication. Its advanced technology and high performance make it ideal for demanding RF power applications in various industries. -
Package
The IXGQ90N33TCD1 chip is packaged in a TO-220 form, with a size of 10.1mm x 18mm x 3.5mm.
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