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Commandes de plus de
$5000IXTX210P10T
Ultra-low RDS(on) and high current handling capacity
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXTX210P10T
Fiche de données: IXTX210P10T Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTX210P10T Description générale
With the IXTX210P10T P-Channel MOSFET, designers can streamline their high side switching applications by employing a straightforward drive circuit referenced to ground. This innovative approach eliminates the need for extra high side driver circuitry, reducing both complexity and component count. By integrating a complementary power output stage with an N-Channel MOSFET, a power half bridge stage can be effectively designed, further enhancing the efficiency and simplicity of the overall system
Caractéristiques
- Advanced packaging
- Improved reliability
- Extended temperature range
Application
- Cost-effective solution
- Energy-efficient operation
- Long-lasting durability
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 210 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 15 V, + 15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 740 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 kW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchP | Series: | IXTX210P10 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 55 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 90 S | Height: | 21.34 mm |
| Length: | 16.13 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 98 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Type: | TrenchP Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 165 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 90 ns |
| Width: | 5.21 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXTX210P10T chip is a high-performance power transistor that is designed for use in industrial applications. It offers a high power rating and a low on-resistance, allowing it to handle large amounts of current with minimal heat dissipation. This chip is commonly used in motor control, power supplies, and other applications where efficient power handling is essential.
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Features
The IXTX210P10T features a single-channel, high-voltage gate driver that is capable of driving devices up to 1200V. It offers low power consumption, integrated protection features, and a wide range of input and output voltage. Additionally, it has a compact package design, making it suitable for various industrial applications. -
Pinout
The IXTX210P10T is a power semiconductor device with 3 pins, serving as a high voltage IGBT transistor. The pins are for the collector, emitter, and gate, respectively. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXTX210P10T is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that designs, develops, manufactures, and markets power semiconductors, mixed-signal integrated circuits, and more. -
Application Field
The IXTX210P10T is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as industrial automation, motor control, power supplies, and automotive systems. Its high efficiency and low on-resistance make it suitable for high-power applications where reliability and thermal performance are important. -
Package
The IXTX210P10T chip is available in the BGA package type with a form factor of 35mm x 35mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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