Commandes de plus de
$5000IXTK400N15X4
N-Channel 150 V 400A (Tc) 1500W (Tc) Through Hole TO-264
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXTK400N15X4
Fiche de données: IXTK400N15X4 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-264
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 209 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTK400N15X4 Description générale
These devices are developed using a charge compensation principle and proprietary process technology, resulting in Power MOSFETs with significantly reduced resistance RDS(on)and gate charge Qg.A low on-state resistance reduces the conduction losses; it also lowers the energy stored in the output capacitance, minimizing the switching losses. A low gate charge results in higher efficiency at light loads as well as lower gate drive requirements. In addition, these MOSFETs are avalanche rated and exhibit a superior dv/dt performance. Also due to the positive temperature coefficient of their on-state resistance, they can be operated in parallel to meet higher current requirements.
Caractéristiques
- Low on-resistance R
- DS(ON)
- and gate charge Q
- g
- dv/dt ruggedness
- Avalanche capability
- International standard packages
Application
- Synchronous rectification in switching
- power supplies
- Motor control (48V-80V systems)
- DC-DC converters
- Uninterruptible power supplies
- Electric forklifts
- Class-D audio amplifiers
- Telecom systems
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-264-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V | Id - Continuous Drain Current | 400 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.1 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V | Qg - Gate Charge | 430 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 1.5 kW | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | HiPerFET | Series | X4-Class |
Brand | IXYS | Configuration | Single |
Fall Time | 8 ns | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 22 ns | Factory Pack Quantity | 25 |
Subcategory | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time | 180 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 40 ns |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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