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IXTQ76N25T
N-Channel 250 V 76A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXTQ76N25T
Fiche de données: IXTQ76N25T Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-3P-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $4,169 | $4,169 |
| 10 | $3,657 | $36,570 |
| 30 | $3,353 | $100,590 |
| 90 | $3,047 | $274,230 |
| 510 | $2,905 | $1481,550 |
| 990 | $2,842 | $2813,580 |
En stock: 9 458 PC
IXTQ76N25T Description générale
The IXTQ76N25T Trench Gate Power MOSFET is a top choice for low voltage/high current applications due to its incredibly low RDS(ON) and resulting minimal power dissipation. With a wide operating temperature range of -40 °C to 175 °C, these MOSFETs are perfect for demanding environments such as those found in automobile applications. Their high performance and durability make them a reliable option for a variety of challenging scenarios
Caractéristiques
- Low Inductance Design
- Faster Switching Times
- Higher Surge Withstand Capability
Application
- Stable Power Output
- Precise Control System
- Powerful Chopper Circuits
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-3P-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V | Id - Continuous Drain Current: | 76 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 42 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 92 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 460 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | HiPerFET | Series: | IXTQ76N25 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 29 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 43 S | Height: | 20.3 mm |
| Length: | 15.8 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 25 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | Trench Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns | Width: | 4.9 mm |
| Unit Weight: | 0.194007 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Paiement
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Emballage
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