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$5000IXTX5N250
Premium electronic component ideal for high-reliability systems that require precise control and minimal power loss
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXTX5N250
Fiche de données: IXTX5N250 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PLUS-247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTX5N250 Description générale
The Very High Voltage series, including the IXTX5N250, offers N-Channel Standard MOSFETs that are purpose-built for demanding power conversion applications with very high blocking voltages up to 4.5kV. These MOSFETs feature a positive temperature coefficient of their on-state resistance, making them perfect for parallel device operation. This parallel operation provides cost-effective solutions compared to series-connected, lower-voltage MOSFETs, simplifies the design, saves PCB board space, and enhances the overall system reliability
Caractéristiques
- Advanced thermal management
- High-reliability components
- Low EMI noise emission
Application
- Advanced technology
- Long-lasting durability
- Versatile applications
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | PLUS-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 2.5 kV | Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.8 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 200 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 960 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | IXTX5N250 | Packaging: | Tube |
| Brand: | IXYS | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 44 ns | Forward Transconductance - Min: | 4.5 S |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 20 ns |
| Factory Pack Quantity: | 30 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXTX5N250 is a high-power smart Power MOSFET with low on-resistance and fast switching performance. It is designed for high-efficiency power supply and motor control applications. The chip features a built-in driver and protection functions, making it suitable for various industrial and automotive applications. With its high reliability and rugged construction, the IXTX5N250 is an ideal choice for demanding power management needs.
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Equivalent
The equivalent products of IXTX5N250 chip are the IXYS IXTA5N50D2, IXTQ5N50D2, and IXTK5N50D2 chips. These chips are all part of the IXTX5N series and have similar specifications and applications. -
Features
The IXTX5N250 features a 250A 1250V Si power MOSFET module, high power density, low on-state resistance, low switching losses, and high thermal performance. It is designed for industrial applications such as welding equipment, plasma cutting, and inverters. It also has high surge ratings and a robust module design for reliable performance. -
Pinout
The IXTX5N250 has a 252-pin count and is designed for use in power conversion applications. Its function includes providing high performance and reliability in high power switching systems, including motor control and renewable energy applications. -
Manufacturer
The IXTX5N250 is manufactured by Intel Corporation. Intel is a multinational technology company that specializes in the design and manufacturing of semiconductors, microprocessors, and other computing-related products. -
Application Field
The IXTX5N250 can be used in various applications such as power supplies, motor drives, renewable energy systems, and industrial automation. It is also suitable for use in welding equipment, UPS systems, and electric vehicle charging stations. With its high voltage and current capabilities, it is a versatile choice for many power electronic applications. -
Package
The IXTX5N250 chip comes in a module package with a form factor of 69mm x 102mm. The package size is 8mm x 8mm, with a 90mm x 110mm heatsink.
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