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IXTX90N25L2
Trans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXTX90N25L2
Fiche de données: IXTX90N25L2 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PLUS-247-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $32,821 | $32,821 |
| 200 | $12,702 | $2540,400 |
| 500 | $12,255 | $6127,500 |
| 1000 | $12,034 | $12034,000 |
En stock: 9 458 PC
IXTX90N25L2 Description générale
The IXTX90N25L2 Power MOSFET is specifically designed for applications that demand optimal performance in current saturation regions. With low thermal resistance, high power density, and extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA), this unique device is engineered to handle rigorous thermal and electrical stresses. In linear-mode operation, where high drain voltages and currents can lead to device failure, the Littelfuse LinearL2™ Power MOSFET offers a solution. By suppressing electro-thermal instability and extending the FBSOAs, this component widens the operating window, ensuring enhanced reliability and performance even in challenging conditions. With guaranteed FBSOAs at 75°C, users can trust in the durability and efficiency of the IXTX90N25L2
Caractéristiques
- Epoxy encapsulation
- Lead-free
- High temperature range
- Ruggedized design
Application
- Flexible circuit protection
- High-performance load control
- Compact soft-start solution
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | PLUS-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V | Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 640 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 960 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | Linear L2 | Series: | IXTX90N25 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 160 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 35 S | Height: | 21.34 mm |
| Length: | 16.13 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 175 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | LinearL2 Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns | Width: | 5.21 mm |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXTX90N25L2 is a power MOSFET chip designed for high voltage applications up to 250V. It features a low on-state resistance and high current capability, making it suitable for power switching and amplification in various electronic devices. The chip also offers high thermal performance and reliability, making it a popular choice for industrial and automotive applications.
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Equivalent
The equivalent products of IXTX90N25L2 chip are the IRF5305, IRF3205, and IXFH90N25L. These chips are also power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The IXTX90N25L2 is a high power MOSFET transistor with a voltage rating of 250V and a current rating of 90A. It has a low on-resistance for efficient power delivery, a TO-268 package for easy mounting, and is suitable for use in applications such as motor control and power supplies. -
Pinout
IXTX90N25L2 is a high-voltage power MOSFET with a TO-268 package. It has 3 pins which include the gate (G), drain (D), and source (S). It is designed for high power applications, providing efficient switching and low on-resistance for improved performance. -
Manufacturer
IXTX90N25L2 is manufactured by IXYS Corporation, a semiconductor company specializing in power control, advanced power semiconductors, and integrated circuits for a broad range of applications. Founded in 1983, IXYS is headquartered in California and is known for its high-performance products used in industries like renewable energy, transportation, medical devices, and industrial automation. -
Application Field
IXTX90N25L2 is a power MOSFET transistor commonly used in high-power applications such as motor control, power supplies, inverters, and industrial equipment. It is suitable for use in power management systems where high efficiency and reliability are crucial. The MOSFET can also be utilized in electric vehicle charging systems and renewable energy devices. -
Package
The IXTX90N25L2 chip is a power MOSFET in a TO-268 package with a form of surface mount and a size of 10mm x 12.8mm.
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