Commandes de plus de
$5000IXXH100N60B3
Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Marques: Ixys
Pièce Fabricant #: IXXH100N60B3
Fiche de données: IXXH100N60B3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247AD
type de produit: Single IGBTs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 591 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXXH100N60B3 Description générale
IGBT PT 600 V 220 A 830 W Through Hole TO-247AD (IXXH)
Caractéristiques
- Optimized for 20-60kHz Switching
- Square RBSOA
- Avalanche Capability
- Short Circuit Capability
- International Standard Package
- Advantages
- High Power Density
- 175°C Rated
- Extremely Rugged
- Low Gate Drive Requirement
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-247AD |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 220 A |
Pd - Power Dissipation | 830 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | IXXH100N60 |
Brand | IXYS | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | IGBTs | Tradename | XPT |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. | |
Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXXH100N60B3 is a high voltage, high speed switching N-channel power MOSFET chip designed for use in industrial and automotive applications. It features a maximum voltage rating of 600V and a continuous drain current of 100A, making it suitable for high power and high voltage applications. The chip also has low on-state resistance and fast switching speeds, making it efficient and reliable for power control and conversion.
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Equivalent
The equivalent products of IXXH100N60B3 chip are Infineon IKW100N60T, Fairchild FGB15N120, and STMicroelectronics STW100N60LZ6. These devices offer similar specifications and performance characteristics, making them interchangeable options for the IXXH100N60B3 chip in various applications. -
Features
1. IXXH100N60B3 is a 600V, 100A Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT). 2. It has a low VCE(sat) voltage of 1.55V. 3. The IGBT is designed for high-speed switching applications. 4. It features a wide operating temperature range of -55°C to 150°C. 5. The device is suitable for use in motor control, inverters, welding equipment, and other power electronic applications. -
Pinout
The IXXH100N60B3 has a pin count of 20 and is a high power N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for high-speed switching applications. It is primarily used in power electronics and motor control systems. -
Manufacturer
IIXH100N60B3 is manufactured by Infineon Technologies, a semiconductor manufacturing company. -
Application Field
The IXXH100N60B3 is a high voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) designed for use in motor drives, solar inverters, induction heating, and welding equipment. It is suitable for applications requiring high power density and efficiency, such as industrial motor control, renewable energy systems, and high-frequency power converters. -
Package
The IXXH100N60B3 chip is a module package type with a single switch form and a size of 38mm x 66mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits