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Commandes de plus de
$5000SI1926DL-T1-E3
High performance N Channel MOSFET
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI1926DL-T1-E3
Fiche de données: SI1926DL-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-363-6
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Statut RoHS:
État des stocks: 5 908 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI1926DL-T1-E3 Description générale
Mosfet Array 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-6
Caractéristiques
- Fast turn-off time
- High power density
- Durable in harsh environments
- Reduced electromagnetic interference
Application
- For all your power needs
- Efficient energy solutions
- Versatile and reliable
- Perfect for any application
- High-performance technology
- Quality you can trust
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 370 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 1.4 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 900 pC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 510 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI1 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Dual | Fall Time | 14 ns |
| Forward Transconductance - Min | 159 mS | Height | 1 mm |
| Length | 2.1 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 12 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns | Typical Turn-On Delay Time | 6.5 ns |
| Width | 1.25 mm | Part # Aliases | SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-E3 |
| Unit Weight | 0.000265 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI1926DL-T1-E3 is a Power MOSFET designed for use in power management applications. It features a low on-resistance and high current handling capabilities, making it suitable for a wide range of power distribution and conversion tasks. Its small footprint and efficient design make it ideal for compact and energy-efficient electronics.
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Equivalent
The equivalent products of SI1926DL-T1-E3 chip are SI1926DL-T1-GE3 and SI1926DL-GE3. These are similar products manufactured by Vishay Siliconix and have comparable specifications and features. -
Features
SI1926DL-T1-E3 is a 20 V N-Channel MOSFET with a low on-resistance of 4.2 mΩ. It has a high current carrying capacity of 110 A and is suitable for use in power management applications. It comes in a PowerPAK SO-8 package with an eco-friendly, halogen-free design. -
Pinout
The SI1926DL-T1-E3 is a 6-pin power MOSFET transistor. It features 2 pins for gate control, 2 pins for drain connection, and 2 pins for source connection. The transistor is commonly used as a switch in power management applications. -
Manufacturer
Vishay Intertechnology is the manufacturer of the SI1926DL-T1-E3. It is a global electronic components company that produces a wide range of products, including discrete semiconductors, passive components, and integrated circuits. Vishay Intertechnology serves various industries such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
The SI1926DL-T1-E3 is a high-performance P-channel MOSFET that is commonly used in applications such as power management, load switching, and battery protection circuits. It is ideal for use in portable devices, consumer electronics, automotive systems, and industrial equipment where high efficiency and reliability are required. -
Package
The SI1926DL-T1-E3 chip is a dual N-channel MOSFET transistor in a PowerPAK SO-8 package. It has a PowerPAK SO-8 form with a size of 5mm x 6mm.
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