Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000SI3457CDV-T1-GE3
A compact and reliable 74mohm @ 10V device ideal for switching high currents with minimal loss
Marques: VISHAY SILICONIX
Pièce Fabricant #: SI3457CDV-T1-GE3
Fiche de données: SI3457CDV-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TSOP-6
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 016 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
SI3457CDV-T1-GE3 Description générale
Additionally, this MOSFET has a maximum drain current of -4.1A and a maximum gate-to-source voltage of -20V, offering flexibility for different operating conditions. It is also free from any Substances of Very High Concern (SVHC), making it environmentally friendly and safe for use in consumer electronics and other applications
Caractéristiques
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | VISHAY SILICONIX |
| Part Package Code | TSOP | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Pin Count | 6 | Reach Compliance Code | |
| ECCN Code | EAR99 | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 5.1 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.074 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 63 pF | JEDEC-95 Code | MO-193AA |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G6 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 3 W |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The SI3457CDV-T1-GE3 is a power management chip designed for use in mobile computing devices. It offers high efficiency and low power consumption, making it ideal for extending battery life. The chip includes multiple voltage regulators, a battery charger, and power management features to ensure optimal performance in portable electronics.
-
Equivalent
Alternative chips to SI3457CDV-T1-GE3 include Texas Instruments TPS61097DSET and ON Semiconductor NCP5007MDMUTAG. These both offer similar functionality for power management applications. -
Features
SI3457CDV-T1-GE3 is a Quad Low Side Power Switch with integrated protecting features like overcurrent, overvoltage, and thermal shutdown. It has a wide input voltage range of 2.5V to 5.5V and a low on-resistance of 100mΩ. It also provides fault reporting and shutdown options for improved system reliability. -
Pinout
The SI3457CDV-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a total of 8 pins. It is commonly used in power management applications due to its low on-state resistance and high current rating. The pin functions include source, gate, and drain connections for both MOSFETs. -
Manufacturer
The manufacturer of SI3457CDV-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that specializes in producing a wide range of discrete components, integrated circuits, and power management solutions for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
SI3457CDV-T1-GE3 is a 4-channel high-speed multiplexer designed for high-speed data applications such as optical networking, datacom, telecom, and high-speed instrumentation systems. It is suitable for switching applications where high bandwidth and low distortion are required. -
Package
The SI3457CDV-T1-GE3 chip is available in a 3mm x 3mm DFN package. It comes in a tape and reel form for surface mount assembly. The size of the chip is typically around 3mm x 3mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
