ON FQT7N10LTF
High-Voltage N-Channel Mosfet in SOT-223 Package with 0.35 Ohm On-Resistance
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FQT7N10LTF
Fiche de données: FQT7N10LTF Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-223-4 , TO-261-4
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3059 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFQT7N10LTF Description générale
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 1.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 380 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 110 / Rise Time ns = 210 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 30 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 2
Caractéristiques
- 1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.85A
- Low gate charge ( Typ. 5.8nC)
- Low Crss ( Typ. 10pF)
- 100% avalanche tested
Application
- LED TV
- Consumer Appliances
- Lighting
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | SOT-223-4 / TO-261-4 | Case Outline | 318H-01 |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 4000 |
ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 100 |
VGS Max (V) | ±20 | VGS(th) Max (V) | 2 |
ID Max (A) | 1.7 | PD Max (W) | 2 |
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 350 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 4.6 |
Ciss Typ (pF) | 220 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
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Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FQT7N10LTF is a power MOSFET chip commonly used in electronic devices. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, and lighting systems. The chip offers a low on-resistance and helps reduce power losses while improving overall system performance.
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Equivalent
There are no direct equivalent products for the FQT7N10LTF chip. However, you can consider other N-channel MOSFETs with similar specifications and features such as the IRF640, IRF740, or FQP47P10. It is important to review the data sheets to ensure compatibility with your specific requirements. -
Features
FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, maximum drain current of 70A, and low on-resistance. It has a compact and efficient design suitable for high power applications, such as motor control and power supply systems. -
Pinout
The FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the flow of current from the Source to the Drain. -
Application Field
The FQT7N10LTF is a highly efficient power MOSFET designed for general-purpose applications. It can be used in various areas such as power management, switching power supplies, motor control, and lighting applications. Its low on-resistance and high current handling capability make it suitable for high-performance applications where low power losses and efficient power transfer are essential. -
Package
The FQT7N10LTF chip is available in a DPAK package type.
Fiche de données PDF
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
Competitive pricing, but customer service was a bit slow to respond.