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ON FQT7N10LTF

High-Voltage N-Channel Mosfet in SOT-223 Package with 0.35 Ohm On-Resistance

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: FQT7N10LTF

Fiche de données: FQT7N10LTF Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SOT-223-4 , TO-261-4

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 3059 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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FQT7N10LTF Description générale

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 1.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 380 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 110 / Rise Time ns = 210 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 30 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 2

fqt7n10ltf

Caractéristiques

  • 1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.85A
  • Low gate charge ( Typ. 5.8nC)
  • Low Crss ( Typ. 10pF)
  • 100% avalanche tested

Application

  • LED TV
  • Consumer Appliances
  • Lighting

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Status Active Compliance PbAHP
Package Type SOT-223-4 / TO-261-4 Case Outline 318H-01
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 4000
ON Target Y Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 100
VGS Max (V) ±20 VGS(th) Max (V) 2
ID Max (A) 1.7 PD Max (W) 2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 350 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 4.6
Ciss Typ (pF) 220

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FQT7N10LTF is a power MOSFET chip commonly used in electronic devices. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, and lighting systems. The chip offers a low on-resistance and helps reduce power losses while improving overall system performance.
  • Equivalent

    There are no direct equivalent products for the FQT7N10LTF chip. However, you can consider other N-channel MOSFETs with similar specifications and features such as the IRF640, IRF740, or FQP47P10. It is important to review the data sheets to ensure compatibility with your specific requirements.
  • Features

    FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, maximum drain current of 70A, and low on-resistance. It has a compact and efficient design suitable for high power applications, such as motor control and power supply systems.
  • Pinout

    The FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the flow of current from the Source to the Drain.
  • Application Field

    The FQT7N10LTF is a highly efficient power MOSFET designed for general-purpose applications. It can be used in various areas such as power management, switching power supplies, motor control, and lighting applications. Its low on-resistance and high current handling capability make it suitable for high-performance applications where low power losses and efficient power transfer are essential.
  • Package

    The FQT7N10LTF chip is available in a DPAK package type.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire FQT7N10LTF PDF Télécharger

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  • shipping

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  • garantie

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