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ON FQPF70N10
MOSFET 100V N-Channel QFET
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FQPF70N10
Fiche de données: FQPF70N10 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-220F
Statut RoHS:
État des stocks: 2113 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $6,663 | $6,663 |
| 10 | $5,844 | $58,440 |
| 50 | $5,347 | $267,350 |
| 100 | $4,929 | $492,900 |
In Stock:2113 PCS
FQPF70N10 Description générale
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Caractéristiques
- "
- 35A, 100V, RDS(on) = 23mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 17.5A
- Low gate charge ( Typ. 85nC)
- Low Crss ( Typ. 150pF)
- 100% avalanche tested
- 175°C maximum junction temperature rating"
Application
- Other Industrial
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 62 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | QFET | Series: | FQPF70N10 |
| Packaging: | Tube | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 160 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S | Height: | 16.07 mm |
| Length: | 10.36 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 470 ns | Factory Pack Quantity: | 50 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns | Width: | 4.9 mm |
| Part # Aliases: | FQPF70N10_NL |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FQPF70N10 chip is a power MOSFET used in electronic circuits. It is designed to handle high currents and voltages with low on-resistance for efficient power transfer. The chip has a maximum current rating of 70A and a maximum voltage rating of 100V. It is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and audio amplifiers.
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Features
Some features of the FQPF70N10 include a drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 70A, a low on-resistance of 0.01 ohms, and a fast switching speed. Additionally, it has a compact TO-220 package and is designed with high efficiency and reliability in mind. -
Pinout
The FQPF70N10 is a MOSFET transistor. It has a 3-pin configuration, consisting of a gate (G), drain (D), and source (S) pin. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQPF70N10 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that specializes in the design, development, and production of power management and analog semiconductor solutions. They provide a wide range of products and solutions for various industries, including automotive, communication, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The FQPF70N10 is a power MOSFET used for switching applications in power supplies, motor drives, and other high-power devices. It can handle a maximum voltage of 100V and a continuous current of 69A, making it suitable for high-power systems. -
Package
The FQPF70N10 chip is in a TO-220 package type, with a through-hole form. Its size is approximately 10.16mm x 10.16mm (0.4in x 0.4in).
Fiche de données PDF
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