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ON FQPF13N50CF
FRFET N-Channel Power MOSFET TO-220F 13 A 500 V 540 mΩ
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FQPF13N50CF
Fiche de données: FQPF13N50CF Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-3
Statut RoHS:
État des stocks: 2341 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,643 | $1,643 |
| 10 | $1,429 | $14,290 |
| 50 | $1,295 | $64,750 |
| 100 | $1,159 | $115,900 |
| 500 | $1,096 | $548,000 |
| 1000 | $1,068 | $1068,000 |
In Stock:2341 PCS
FQPF13N50CF Description générale
The FQPF13N50CF is an N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-performance power applications. It features a drain-source voltage rating of 500V and a continuous drain current of 13A, making it ideal for use in power supplies, motor control, and other high voltage applications.This MOSFET has a low on-resistance of 0.29 ohms, which helps to minimize power losses and improve efficiency in high-power circuits. It also has a fast switching speed, with a typical turn-on time of 22 nanoseconds and a turn-off time of 40 nanoseconds, allowing for precise control of power flow.The FQPF13N50CF is housed in a TO-220F package, which provides excellent thermal performance and allows for easy mounting on a heatsink. It operates over a wide temperature range of -55°C to 150°C, making it suitable for a variety of operating conditions.
Caractéristiques
Application
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 13 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 540 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 56 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 48 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | QFET | Series | FQPF13N50CF |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 100 ns | Forward Transconductance - Min | 15 S |
| Height | 16.07 mm | Length | 10.36 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 100 ns |
| Factory Pack Quantity | 50 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 130 ns | Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Width | 4.9 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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FQPF13N50CF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip. It is designed to handle high voltage and high current applications. It has a low ON-state resistance and can switch quickly, making it suitable for power amplifiers, motor control, and other power management circuits. The chip offers efficient power handling capabilities and is widely used in industrial and automotive applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the FQPF13N50CF chip are the STF13N50F5, IRF13N50FPBF, and AP13N50F-13-TU. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and features, making them suitable substitutes for the FQPF13N50CF. -
Features
The FQPF13N50CF is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 500V, continuous drain current of 13A, and a low on-resistance. It operates with high switching speeds and low gate charge, making it suitable for power conversion applications. Additionally, it has a small and compact TO-220F package. -
Pinout
The FQPF13N50CF is a MOSFET transistor with a TO-220F package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the conduction of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQPF13N50CF is Fairchild Semiconductor. It is a company that specializes in developing and manufacturing power and discrete semiconductor technologies used in various applications such as automotive, consumer electronics, computing, telecommunications, and industrial sectors. -
Application Field
The FQPF13N50CF is a power MOSFET transistor designed for use in applications such as power supplies, motor control, and electronic ballasts. -
Package
The FQPF13N50CF chip has a TO-220 package type, a through-hole form, and its dimensions are approximately 10.4mm x 15.7mm x 4.6mm.
Fiche de données PDF
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