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ON FQB5N90TM
N-Channel 900 V 5.4A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FQB5N90TM
Fiche de données: FQB5N90TM Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-263
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3404 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFQB5N90TM Description générale
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Caractéristiques
- 5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.7A
- Low gate charge ( Typ. 31nC)
- Low Crss ( Typ. 13pF)
- 100% avalanche tested
- RoHS compliant
Application
- Lighting
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FQB5N90TM | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Package Description | D2PAK-3 | Manufacturer Package Code | 418AJ |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 51 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 660 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 900 V |
| Drain Current-Max (ID) | 5.4 A | Drain-source On Resistance-Max | 2.3 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-263AB |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 158 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 21.6 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | DMOS | feature-configuration | Single |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 900 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±30 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 5 |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 5.4 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 2300@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 31@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 31 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1200@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 3130 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | D2PAK | feature-standard-package-name1 | TO-263 |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FQB5N90TM chip is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for various electronic applications. It offers a low on-resistance, allowing efficient power handling, and has high reliability and robustness. The chip's advanced features and performance make it suitable for applications such as power supplies, motor control, and audio amplification.
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Features
The FQB5N90TM is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage rating of 900V and a continuous drain current of 5A. It has a low gate charge and high switching speed, making it suitable for high-frequency applications. The transistor also has a low on-resistance and low capacitance, enabling efficient power management. -
Pinout
The FQB5N90TM is a MOSFET transistor with 3 pins. The pin-out configuration is Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin is used to control the flow of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQB5N90TM is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of power semiconductors, discrete semiconductors, and integrated circuits. -
Application Field
The FQB5N90TM is a power MOSFET transistor commonly used in high-voltage applications such as switch-mode power supplies, motor control, and lighting. Its high voltage rating and low on-state resistance make it suitable for various power conversion and control circuits that require efficient and reliable operation. -
Package
The FQB5N90TM chip is available in a TO-263 package type, commonly known as a D2PAK form. Its dimensions or size fall within the standard specifications for a TO-263 package, measuring approximately 10.28mm x 15.27mm x 4.57mm.
Fiche de données PDF
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