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$5000IPT013N08NM5LF
80V high power MOSFET with low on-state resistance of 1.3mΩ at 150A
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IPT013N08NM5LF
Fiche de données: IPT013N08NM5LF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: 8-PowerSFN
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 863 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPT013N08NM5LF Description générale
The IPT013N08NM5LF from Infineon is a groundbreaking OptiMOS™ 5 linear FET 80V designed to offer exceptional performance in a compact TO-Leadless (TOLL) package. With the lowest on-state resistance RDS(on) in the industry and a wide safe operating area (SOA) at 25˚C, this linear FET is revolutionizing the way engineers approach power management. The OptiMOS™ technology overcomes the traditional trade-off between on-state resistance and linear mode capability, providing unparalleled efficiency and reliability in high-current applications. Whether you're dealing with in-rush current, hot-swap scenarios, or stringent protection requirements, the IPT013N08NM5LF is the ideal solution for telecom and battery management systems
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | OptiMOS™ 5 | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 333A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 150A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 278W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-HSOF-8 |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IPT013N08NM5LF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for use in various power management applications. It features a low on-state resistance and high switching speed, making it ideal for high-performance power circuits.
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Equivalent
The equivalent products of the IPT013N08NM5LF chip include IRF540NPBF, IRF5905PBF, and IRF3205PBF. These are all power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. They can be used as direct replacements for the IPT013N08NM5LF chip in various electronic applications. -
Features
Some features of IPT013N08NM5LF include a drain-source voltage of 80V, a continuous drain current of 32A, low on-resistance of 0.013 ohms, and a small form factor with a surface-mount package. It is a power MOSFET that is suitable for a variety of high-power applications. -
Pinout
IPT013N08NM5LF is a Power MOSFET with a TO-252 package, containing 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The function of this MOSFET is to control the flow of power in a circuit by turning on and off the switch through the gate signal. -
Manufacturer
IPT013N08NM5LF is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon Technologies AG is a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, sensors, microcontrollers, and security solutions. The company serves a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
IPT013N08NM5LF is commonly used in applications such as power management, integrated motor controls, battery chargers, and switched-mode power supplies. It is also used in industrial automation, consumer electronics, and automotive systems. -
Package
The IPT013N08NM5LF is a TO-252 package type power MOSFET. It is a surface-mount form with a size of 6.6mm x 6.1mm x 3mm.
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