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$5000IXFN200N10P
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFN200N10P
Fiche de données: IXFN200N10P Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-227-4,miniBLOC
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 035 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN200N10P Description générale
Whether used in motor control systems or UPS units, the IXFN200N10P ensures optimal performance and longevity. Its advanced features make it a versatile solution for a wide range of power management challenges, providing users with a dependable and efficient power handling solution
Caractéristiques
- Low Vibration Capability
- Robust Construction
- Fault-Tolerant Operation
- High Reliability
Application
- Advanced Power Management
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™, Polar | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 500mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 680W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B | Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Base Product Number | IXFN200 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXFN200N10P is a power MOSFET chip designed for high voltage and high-speed switching applications. It features a drain-to-source voltage of 1000V and a continuous drain current of 200A, making it suitable for industrial and automotive power systems. The chip is built with advanced silicon technology to deliver efficient performance and reliability in demanding environments.
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Equivalent
The equivalent products of IXFN200N10P chip are IXFX280N10P, IXFQ300N10P, and IXYS IXTK200N10P. These products offer similar features and performance levels to the IXFN200N10P chip. -
Features
IXFN200N10P is a 100V, 200A MOSFET module with a low on-state resistance of 4.6mOhm. It has an integrated gate drive circuitry, internal temperature monitoring, and fault reporting. The module is designed for motor control, power supply, and inverter applications. -
Pinout
IXFN200N10P is a power MOSFET with a pin count of three. The functions of the pins are gate, drain, and source. The maximum drain-source voltage is 100 volts, with a continuous drain current of 200 amps. It is designed for high-power switching applications. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of IXFN200N10P. IXYS Corporation is a global provider of semiconductor solutions, specializing in power, radio frequency, and signal processing technologies. They provide products that improve efficiency, performance, and reliability in a variety of applications including industrial, automotive, telecommunications, and medical industries. -
Application Field
IXFN200N10P is a power MOSFET transistor with a high voltage rating and low on-resistance, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, inverters, and electronic loads. It can be used in industrial, automotive, and consumer electronics applications where high efficiency and reliable switching are required. -
Package
The IXFN200N10P chip comes in a TO-268 package type. It is a power MOSFET designed in a through hole form. The size of the chip is approximately 10.5mm x 9.9mm x 4.6mm.
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