Commandes de plus de
$5000
IXFN280N07
Featuring a current handling capacity of 280 amps and a voltage tolerance of 70V
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXFN280N07
Fiche de données: IXFN280N07 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-227B
Statut RoHS:
État des stocks: 8 532 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $60,381 | $60,381 |
200 | $24,093 | $4818,600 |
500 | $23,288 | $11644,000 |
1000 | $22,890 | $22890,000 |
En stock: 8 532 PC
IXFN280N07 Description générale
Meet the IXFN280N07, a member of the N-Channel HiPerFET™ Standard series that is revolutionizing power MOSFET technology. Designed for optimal performance in both hard switching and resonant mode applications, these Power MOSFETs offer a unique combination of low gate charge and a fast intrinsic diode. With exceptional ruggedness and reliability, these devices are ideal for industrial settings where efficiency and durability are paramount. Available in a variety of standard industrial packages, including isolated types, the HiPerFET™ Standard series is the go-to choice for cutting-edge power management solutions
Caractéristiques
- Robustness and reliability
- Improved thermal performance
- Simplified interface
- Increased power rating
Application
- Reliable performance
- Versatile applications
- Advanced technology
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
Technology | Si | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | HiPerFET | Brand | IXYS |
Configuration | Single | Fall Time | 50 ns |
Height | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current | 280 A |
Length | 38.2 mm | Number of Channels | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 600 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5 mOhms | Rise Time | 90 ns |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename | HyperFET | Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 85 ns | Typical Turn-On Delay Time | 40 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 70 V | Width | 25.07 mm |
Unit Weight | 1.058219 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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