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$5000IXTH110N10L2
IXTH110N10L2: MOSFET engineered for linear power delivery
Marques: LITTELFUSE INC
Pièce Fabricant #: IXTH110N10L2
Fiche de données: IXTH110N10L2 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 507 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTH110N10L2 Description générale
For applications requiring Power MOSFETs to function in their current saturation regions, the IXTH110N10L2 offers unmatched performance and durability. By incorporating low thermal resistances and high power density, these devices can handle the rigorous thermal and electrical stresses that come with linear-mode operation. With an extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA), these MOSFETs mitigate the risk of device failures caused by extreme stresses, ensuring reliability even under high drain voltages and currents
Caractéristiques
- Compact design footprint
- Efficient power consumption
- Simplified system integration
- Improved overall performance
Application
- Current sensors
- Voltage references
- Amplifier modules
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | LITTELFUSE INC | Package Description | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Samacsys Manufacturer | LITTELFUSE | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 3000 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 110 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.018 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-247AD |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e3 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 600 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 300 A |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXTH110N10L2 is a power MOSFET chip designed for high voltage applications. It has a maximum drain-source voltage of 1000V and a low on-resistance, making it suitable for power switching in various electronic devices. The chip is built with advanced technology to ensure efficient and reliable performance, making it an ideal choice for power conversion and control circuits.
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Equivalent
The equivalent products of the IXTH110N10L2 chip include IXTH100N10L2, IXTH120N10L2, IXTH140N10L2, and IXTH160N10L2. -
Features
The key features of the IXTH110N10L2 are: - Power MOSFET transistor - Low on-resistance - VDSS voltage rating of 100V - ID continuous current rating of 110A - Fast switching speed - Low gate charge - TO-247 package type - Suitable for a variety of high power applications. -
Pinout
The IXTH110N10L2 is a MOSFET transistor with a TO-220 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXTH110N10L2 is IXYS Corporation. IXYS Corporation is a global company that specializes in the design, manufacture, and marketing of power semiconductors, integrated circuits, and other electronic devices. They cater to various industries such as automotive, consumer electronics, industrial, and telecommunications. -
Application Field
The IXTH110N10L2 is a power MOSFET transistor that is commonly used in various applications, including motor control, power supplies, consumer electronics, battery chargers, and solid-state relays. -
Package
The IXTH110N10L2 chip is a power MOSFET transistor packaged in a TO-247 form. It has a size of approximately 15.75mm x 20.07mm x 5.84mm (0.62" x 0.79" x 0.23").
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