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$5000IXTH12N120
The IXTH12N120 is a N-channel MOSFET featuring a voltage rating of 1
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Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXTH12N120
Fiche de données: IXTH12N120 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTH12N120 Description générale
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
![](/files/uploads/product/b/227330dd-a655-4350-a87c-cff06a33d09d.webp)
Caractéristiques
- International standard package JEDEC TO-247 AD
- Low RDS (on) HDMOSTM process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Fast switching times
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 500 W | Channel Mode: | Enhancement |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 17 ns |
Height: | 21.46 mm | Length: | 16.26 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 25 ns |
Factory Pack Quantity: | 30 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns | Width: | 5.3 mm |
Unit Weight: | 0.211644 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXTH12N120 is a high-voltage, high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in power electronics applications. It offers low saturation voltage and high switching speed, making it ideal for use in motor drives, inverters, and other high-power industrial applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXTH12N120 chip include the IXTH20N120, IXTH22N120, and IXTH25N120. These chips are also power MOSFETs designed for high power switching applications, with similar specifications and performance characteristics to the IXTH12N120. -
Features
The IXTH12N120 is a high-speed, high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) designed for use in high-frequency switching applications. It features a low VCE(sat) and low switching losses, making it suitable for various power electronics applications such as motor drives, inverters, and power supplies. -
Pinout
IXTH12N120 is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). It is designed for high power applications up to 12A and 1200V. -
Manufacturer
IXTH12N120 is manufactured by IXYS Corporation, a semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF power products. Established in 1983, IXYS focuses on developing innovative solutions for energy efficiency, renewable energy, and power management applications. -
Application Field
IXTH12N120 is a high-performance MOSFET with a continuous drain current of 12A and a breakdown voltage of 1200V. It is suitable for applications such as switch-mode power supplies, motor control, renewable energy systems, and industrial equipment where high voltage and high current handling capabilities are required. -
Package
The IXTH12N120 chip is a power transistor with a TO-247 package type, through-hole form, and a size of 22.5mm x 10.67mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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