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$5000IXTH20N60
Featuring a current rating of 20 Amps, a voltage rating of 600V, and an on-resistance of 0
Marques: IXYS CORP
Pièce Fabricant #: IXTH20N60
Fiche de données: IXTH20N60 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 7 519 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTH20N60 Description générale
With its high voltage rating of 600V and a continuous current capability of 20A, the IXTH20N60 MOSFET is a reliable choice for a variety of power electronics applications. Its low on-resistance of 0.35 ohms ensures minimal power loss and efficient operation. The TO-247 (SOT-249) package style allows for easy mounting and thermal management, while its RoHS compliance demonstrates its commitment to environmental responsibility
Caractéristiques
- Silicon-on-insulator (SOI) technology for improved isolation
- Avalanche-rated for reliable operation under overload conditions
- Rapid switching times for increased efficiency and reduced power consumption
- Fully compatible with advanced logic gate circuits for high-speed data processing
Application
- Compact design
- Efficient performance
- Cost-effective solution
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Transferred | Ihs Manufacturer | IXYS CORP |
| Part Package Code | TO-247AD | Package Description | TO-247AD, 3 PIN |
| Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8541.29.00.95 |
| Case Connection | ISOLATED | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 600 V | Drain Current-Max (ID) | 20 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.35 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-247AD | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation Ambient-Max | 300 W | Power Dissipation-Max (Abs) | 300 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 80 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXTH20N60 is a high voltage and high speed switching N-channel power MOSFET chip commonly used in power electronics applications. It can handle a maximum voltage of 600V and a continuous current of 20A. Its compact size and efficient operation make it a popular choice for a wide range of industrial and consumer electronics projects.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXTH20N60 chip are the IRG4PH50UD and the HGTG20N60A4D. These chips are power semiconductor devices used for various applications such as motor control, power supplies, and inverters. They all offer similar specifications and performance characteristics to the IXTH20N60. -
Features
IXTH20N60 is a Power MOSFET with a maximum voltage rating of 600V, continuous drain current of 20A, and a low on-resistance of 0.2 ohms. It offers high power handling capability, fast switching speeds, and low gate charge. This MOSFET is suitable for high power applications such as power supplies, inverters, and motor control. -
Pinout
The IXTH20N60 is a high voltage power MOSFET with a TO-247 package type. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the flow of current between the Drain and Source pins, making it ideal for high voltage applications. -
Manufacturer
The IXTH20N60 is manufactured by IXYS Corporation, a global semiconductor company that specializes in power and advanced technology platforms. They develop and produce a wide range of power semiconductor devices, integrated circuits, and RF power products used in various industries such as automotive, industrial, healthcare, and consumer electronics. -
Application Field
The IXTH20N60 is a high voltage, high speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that is commonly used in power electronic applications such as motor control, power supplies, inverters, and converters. It is ideal for applications that require fast switching speeds, high efficiency, and high voltage capabilities. -
Package
The IXTH20N60 chip comes in a TO-247 package type. It is in a transistor form and features a size of 25mm x 16mm x 10mm.
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