Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

IXYN30N170CV1

XPT IGBT with 30A current rating and 1700V voltage capacity in SOT227 package

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Ixys

Pièce Fabricant #: IXYN30N170CV1

Fiche de données: IXYN30N170CV1 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-227B

type de produit: Single IGBTs

Statut RoHS:

État des stocks: 5 494 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IXYN30N170CV1 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IXYN30N170CV1 Description générale

When it comes to high-power IGBT modules, the IXYN30N170CV1 from IXYS Corporation stands out from the crowd. With a voltage rating of 1700V and a current rating of 30A, this module is the perfect solution for high-power applications such as motor control, power converters, and renewable energy systems. Its efficient switching performance and low on-state power dissipation ensure reliable operation in demanding environments. The module's compact and rugged design, complete with integrated thermal protection, makes installation a breeze and guarantees long-term reliability. Furthermore, the IXYN30N170CV1 features low conduction and switching losses, resulting in improved energy efficiency and reduced heat generation during operation. This module is the go-to choice for industrial and commercial applications that demand high-power switching capabilities. And with its RoHS compliance and adherence to industry standards for quality and performance, you can trust that the IXYN30N170CV1 will deliver exceptional performance every time

Caractéristiques

  • Robust construction and durable materials
  • High accuracy and precision
  • Low thermal drift
  • Fully shielded against electromagnetic interference
  • Operating frequency: up to 1 GHz
  • RoHS compliant

Application

  • Variable frequency drives
  • Energy-efficient lighting
  • Electric vehicle chargers

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.7 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 3.5 V
Continuous Collector Current at 25 C 88 A Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Pd - Power Dissipation 680 W Package / Case SOT-227B
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Brand IXYS Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Series High Voltage Factory Pack Quantity 10
Subcategory IGBTs Technology Si
Tradename XPT

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • IXYN30N170CV1 is a high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for various power electronics applications. It features a voltage rating of 1700V and a current rating of 30A, making it suitable for high-power operation. The chip is known for its high efficiency, low switching losses, and rugged construction, making it a preferred choice for industrial and renewable energy applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of IXYN30N170CV1 chip are IXFN65N50P and IXTK90N25L2.
  • Features

    IXYN30N170CV1 is a N-Channel enhancement mode Power MOSFET. It has a low on-resistance, high current capability, and gate charge. It also has a fast switching speed, high avalanche capability, and is suitable for high power applications.
  • Pinout

    The IXYN30N170CV1 is a high-speed, low-loss IGBT module with a pin count of 7. The functions of the pins are gate, collector, emitter, collector-emitter monitoring, gate protection, over-temperature sensing, and collector-emitter short circuit fault indication.
  • Manufacturer

    IXYS Corporation is the manufacturer of the IXYN30N170CV1. It is a global semiconductor company specializing in the development and production of power semiconductors for a variety of applications including power supplies, motor controls, and renewable energy systems. They are known for their high-performance, high-quality semiconductor products.
  • Application Field

    The IXYN30N170CV1 is most commonly used in applications such as power supplies, inverters, and motor control systems. Its high voltage and current rating make it ideal for high-power industrial and automotive applications where reliability and efficiency are essential. Additionally, it can be used in renewable energy systems such as wind turbines and solar inverters.
  • Package

    The IXYN30N170CV1 chip is available in a TO-247 package type with a module form. It measures 30mm x 46mm in size.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...