Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

MUN2211T1G

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: onsemi

Pièce Fabricant #: MUN2211T1G

Fiche de données: MUN2211T1G Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SC-59-3

type de produit: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour MUN2211T1G ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

MUN2211T1G Description générale

The MUN2211T1G is a versatile digital transistor designed to simplify circuit design and reduce system costs. By integrating a monolithic bias network consisting of two resistors into a single device, this Bias Resistor Transistor (BRT) eliminates the need for external components, saving valuable board space. This series of transistors is a cost-effective solution for applications requiring single-device replacements and streamlined circuitry

Caractéristiques

  • Achieves High-Speed Operation
  • Reduces Power Consumption
  • Increases Noise Immunity
  • Simplifies Testing Process

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: onsemi Product Category: Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHS: Details Configuration: Single
Transistor Polarity: NPN Typical Input Resistor: 10 kOhms
Typical Resistor Ratio: 1 Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SC-59-3 DC Collector/Base Gain hfe Min: 35, 60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V Continuous Collector Current: 100 mA
Peak DC Collector Current: 100 mA Pd - Power Dissipation: 230 mW
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: MUN2211 Packaging: MouseReel
Brand: onsemi DC Current Gain hFE Max: 35
Height: 1.09 mm Length: 2.9 mm
Product Type: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: Transistors Width: 1.5 mm
Unit Weight: 0.000282 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The MUN2211T1G is a high voltage NPN silicon transistor designed for general purpose amplifier and switching applications. It has a maximum collector-emitter voltage of 600V and a continuous collector current of 600mA. This transistor is commonly used in power supply circuits, motor control, and audio amplification.
  • Equivalent

    The equivalent products of the MUN2211T1G chip are NPN transistors such as BC337, 2N2222, or 2N3904. These transistors have similar specifications and can be used as substitutes for the MUN2211T1G in electronic circuits.
  • Features

    1. High voltage, ultrafast switching diode 2. Low forward voltage drop 3. High surge capability 4. Small footprint, surface mount package 5. Suitable for high frequency applications 6. RoHS compliant and halogen-free materials 7. Available in tape and reel packaging for automated assembly.
  • Pinout

    MUN2211T1G is a NPN Darlington Transistor with a pin count of 3. The pins are Base, Collector, and Emitter. It is used for high-voltage and high-current applications in many electronic devices like motor control, driver modules, and relay drivers.
  • Manufacturer

    MUN2211T1G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of semiconductor-based solutions for a range of applications, including power management, automotive, communication, and industrial production. The company focuses on providing energy-efficient and environmentally friendly solutions to help customers reduce their carbon footprint and enhance overall performance.
  • Application Field

    MUN2211T1G is commonly used in automotive, industrial, and consumer applications for switching and amplification. It is also used in power management circuits, LED lighting, and motor control applications. Additionally, it can be found in power supplies and voltage regulators due to its high voltage and current capabilities.
  • Package

    The MUN2211T1G chip is in a standard SOT-223 package, with a form of surface mount, and a size of 6.10mm x 6.20mm x 1.70mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...