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MUN5214DW1T1G
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: MUN5214DW1T1G
Fiche de données: MUN5214DW1T1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-363-6
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 10 | $0,053 | $0,530 |
| 100 | $0,043 | $4,300 |
| 300 | $0,037 | $11,100 |
| 3000 | $0,033 | $99,000 |
| 6000 | $0,030 | $180,000 |
| 9000 | $0,028 | $252,000 |
En stock: 9 458 PC
MUN5214DW1T1G Description générale
Incorporating the latest advancements in digital transistor technology, our BRT series offers a comprehensive solution for electronic designers. With its integrated bias network and monolithic design, this revolutionary component streamlines your workflow while minimizing board space and cost
Caractéristiques
- Enhances System Reliability
- Minimizes Power Consumption
- Faster Signal Processing Time
- Simplifies PCB Layout Design
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| RoHS: | Details | Configuration: | Dual |
| Transistor Polarity: | NPN | Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.21 | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA | Pd - Power Dissipation: | 256 mW |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | MUN5214DW1 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi | DC Current Gain hFE Max: | 80 |
| Height: | 0.9 mm | Length: | 2 mm |
| Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | Transistors | Width: | 1.25 mm |
| Unit Weight: | 0.000988 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MUN5214DW1T1G is a Power MOSFET transistor chip designed to handle high power applications in electronic devices. It features a low on-resistance and high current capacity, making it ideal for use in power management circuits, motor control systems, and other high-power applications. The chip's compact size and efficient performance make it a popular choice for engineers looking to design energy-efficient and reliable electronic systems.
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Equivalent
Some equivalent products to the MUN5214DW1T1G chip are the NXP BAV99LT1G, Fairchild Semiconductor FDN337N, and ON Semiconductor BAV99LT1G. These chips all serve similar functions and can be used as replacements for the MUN5214DW1T1G in various electronic applications. -
Features
MUN5214DW1T1G is a high-speed, low VCE(sat) NPN transistor with low collector-emitter saturation voltage, designed for digital and analog switching applications. It has a maximum current rating of 500mA and a voltage rating of 160V. This transistor is RoHS compliant and designed for high-reliability applications. -
Pinout
The MUN5214DW1T1G is a dual NPN/PNP small signal transistor array. Pin count: 6 pins Functions: 1. Collector of NPN Transistor 1 2. Base of NPN Transistor 1 3. Emitter of NPN Transistor 1 4. Collector of PNP Transistor 2 5. Base of PNP Transistor 2 6. Emitter of PNP Transistor 2 -
Manufacturer
MUN5214DW1T1G is manufactured by ON Semiconductor, a leading supplier of semiconductor-based solutions worldwide. ON Semiconductor produces a wide range of products for various applications including power management, connectivity, sensors, and custom solutions. The company is known for its high-quality products and innovative technologies that help accelerate the development of electronic devices in multiple industries. -
Application Field
MUN5214DW1T1G is a dual N-channel MOSFET designed for general-purpose switching applications in mobile devices, power management systems, and battery charging circuits. It is commonly used in devices requiring high-speed switching capabilities, low power consumption, and efficient thermal dissipation. -
Package
The MUN5214DW1T1G chip comes in a DPAK (TO-252) package type, with a surface mount form. The size of the chip is 6.6mm x 9.55mm x 3.1mm, making it suitable for use in a variety of electronic applications.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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