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$5000MUN5233DW1T1G
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: MUN5233DW1T1G
Fiche de données: MUN5233DW1T1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-363-6
type de produit: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MUN5233DW1T1G Description générale
Elevate your circuit design with the MUN5233DW1T1G, a cutting-edge digital transistor series that redefines simplicity and functionality. Engineered with an integrated bias network, this BRT replaces the traditional external resistor bias network, providing a more efficient and space-saving solution for your applications. By consolidating the transistor and bias resistors into a single device, the MUN5233DW1T1G offers a hassle-free design experience while delivering exceptional performance and reliability. Upgrade your projects with this innovative transistor series and discover the benefits of enhanced cost-effectiveness and streamlined circuit layout
Caractéristiques
- Faster Time-to-Market
- Increased Efficiency
- Reduced Development Costs
- Improved Customer Experience
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| RoHS: | Details | Configuration: | Dual |
| Transistor Polarity: | NPN | Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.1 | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA | Pd - Power Dissipation: | 187 mW |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | MUN5233DW1 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi | DC Current Gain hFE Max: | 80 at 5 mA at 10 V |
| Height: | 0.9 mm | Length: | 2 mm |
| Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | Transistors | Width: | 1.25 mm |
| Unit Weight: | 0.000423 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MUN5233DW1T1G chip is a high-performance dual N-channel 30V MOSFET designed for use in power management applications. It features low on-resistance, high current handling capacity, and a compact footprint, making it ideal for applications where efficiency and power density are critical.
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Equivalent
Other equivalent products of the MUN5233DW1T1G chip include MMBT5233, MMBT5233L, and MMBT5233LT1G. These are all NPN Bipolar transistors with similar specifications and performance characteristics, making them suitable substitutes for the MUN5233DW1T1G chip. -
Features
MUN5233DW1T1G is a high-speed, high-power, SMT N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of 30V and continuous drain current of 12A. It features low on-resistance, high thermal efficiency, and a compact DFN package, making it suitable for a wide range of power management applications. -
Pinout
The MUN5233DW1T1G is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has a pin count of 6 and is commonly used in power management applications. It features low on-resistance, high current carrying capability, and is suitable for battery management, DC-DC converters, and motor control circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of MUN5233DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a Fortune 500 semiconductors supplier company with headquarters in Phoenix, Arizona. The company produces a wide range of semiconductor products used in various industries, including automotive, consumer electronics, and communication systems. -
Application Field
MUN5233DW1T1G is a high-performance, low power, N-channel MOSFET transistor. It is commonly used in applications such as power management, battery charging, motor control, and LED lighting due to its high switching speeds, low on-resistance, and excellent thermal performance. -
Package
The MUN5233DW1T1G chip is a Surface Mount package type with a Dual NPN array configuration. It comes in a DFN-8 form and measures 2mm x 2mm in size.
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