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SI1539CDL-T1-GE3
Specifications: 30 Volts, 0.7 Amps, 0.34 Watts
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI1539CDL-T1-GE3
Fiche de données: SI1539CDL-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-363-6
Statut RoHS:
État des stocks: 5 521 pièces, nouveau original
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,184 | $0,184 |
En stock: 5 521 PC
SI1539CDL-T1-GE3 Description générale
The SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET embodies cutting-edge technology in a small package. Featuring a low on-resistance of 0.323ohm at a test voltage of 10V, it ensures minimal power loss in circuit operation. With a maximum power dissipation of 340mW, this dual configuration component can handle high current loads with ease. Its wide operating temperature range and compact SOT-363 case make it versatile for a range of applications, from portable devices to automotive systems
Caractéristiques
- High voltage tolerance
- Pulse and surge immunity
- Suitable for motor drives
- Fast response to temperature changes
Application
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 | Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 700 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 388 mOhms, 890 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 3 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 340 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI1 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Dual | Fall Time | 15 ns |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 25 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 26 ns | Part # Aliases | SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-GE3 |
| Unit Weight | 0.000265 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI1539CDL-T1-GE3 is a power management chip designed for use in energy-efficient DC-DC converters. It features an integrated high-side switch and low-dropout linear regulator, allowing for efficient power conversion in a compact form factor. This chip is ideal for applications that require precise voltage regulation and low power consumption.
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Equivalent
The equivalent products of SI1539CDL-T1-GE3 chip are SI1539CDL-T1-GE3 and SI1539CDL-T1-GE3-ND. -
Features
SI1539CDL-T1-GE3 is a dual N-channel 20 V MOSFET in a PowerPAK SC-70 package. It has a low on-resistance of 0.05 ohms, a high current rating of 4.5 A, and a low gate threshold voltage of 1.5 V. It is RoHS-compliant and suitable for a wide range of applications requiring high efficiency and power density. -
Pinout
The SI1539CDL-T1-GE3 is a 6-pin dual P-channel MOSFET with a standard SOT-23 package. It is commonly used for power management in various electronic devices. The pin functions include gate, source, and drain for each MOSFET. -
Manufacturer
The manufacturer of SI1539CDL-T1-GE3 is Vishay Semiconductors, a company specializing in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Semiconductors is a global company with a focus on technology innovation and providing high-quality components for a variety of industries, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
SI1539CDL-T1-GE3 is a low-power, low-voltage, precision analog switch designed for use in a variety of applications such as battery-powered devices, portable instrumentation, audio and video signal routing, and power management systems. It is commonly used in consumer electronics, industrial automation, automotive, and medical devices. -
Package
The SI1539CDL-T1-GE3 chip is a PowerPAK® SO-8 package with a 5x6 mm form factor.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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